精选5第5章非平衡载流子.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 2，非平衡载流子的漂移运动和漂移电流4 * * 2，非平衡载流子的漂移运动和漂移电流5 * * 3．连续性方程 1 空穴随时间的变化率＝x处空穴积累率十x处空穴产生率-x处空穴复合率 * * 3．连续性方程2 例题1 例题2 * * 3．连续性方程3 * * 3．连续性方程4 * * 3．连续性方程5 * * 3．连续性方程6 * * * * * §4-1非平衡载流子及其寿命 1．非平衡态和非平衡载流子 在一定温度下，半导体内价带电子可以从晶格原子的热振动中获得足够的能量，从价带激发到导带，形成导带的电子和价带的空穴(即电子-空穴对的产生过程)。通常把单位时间和单位体积内所产生的电子-空穴对数称为产生率，记为Q。另一方面，导带的电子与价带的空穴也会不断地相遇复合而消失，将多余的能量交给晶格原子(即电子-空穴对的复合过程)。通常把单位时间和单位体积内复合掉的电子-空穴对数称为复合率，记为R。在稳定时，这两种相逆的作用互相平衡，半导体处于热平衡状态。它是一种动态的平衡，相对的平衡。 半导体处于热平衡态时，体内有唯一的费米能级，载流子分布服从费米分布或玻耳兹曼分布。 非简并半导体处于热平衡态时，体内电子浓度n0和空穴浓度p0之间的关系为 上式对热平衡状态下的非简并半导体普遍适用，它是非简并半导体的热平衡条件之一。 处于热平衡状态的半导体，在外界条件作用下，热平衡条件被破坏就偏离了热平衡状态。例如半导体在电磁场中的迁移现象，就是外加电磁场改变了载流子在能级之间的分布情况，不能再用式(2-1)处理问题，但载流子数目没有改变。然而在许多实际问题中，外界作用却能改变载流子数目，使载流子浓度n，p偏离原来数值。可见，处于热平衡态的半导体，在外界条件作用下，破坏了平衡条件，处于与热平衡态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡状态的载流子浓度n，p与处于热平衡态的载流子浓度n0，p0不同，它们的差值⊿n＝n-n0，⊿p＝p-p0称为非平衡载流子。若n＞n0(或p＞p0)，则⊿n＞0(或⊿p＞0)，表示比平衡态多出来的载流子，或称过剩载流子；若n＜n0(或p＜p0)，则⊿n＜0(或⊿p＜0)，表示比平衡态欠缺的载流子。为简单起见，下面讨论的非平衡载流子一般指过剩载流子。 * 2．非平衡少数载流子注入及附加电导 我们把外界作用使半导体中产生非平衡载流子的过程叫做非平衡载流子的注入。可以用适当波长()的光照射半导体表面，或对 75 p-n结施加正向偏压，使其产生非平衡载流子。我们分别称之为非平衡载流子的光注入和电注入。光注入和电注入的实际效果都是一样的，不同的只是注入的方式不同。从说明问题来看，光注入更直观形象，便于我们掌握非平衡载流子的特性和运动，因此，本章主要介绍光注入的情况。 很容易由图4-1所示线路观察光注入现象。在图(a)所示的线路中，接通开关K，回路中的电流为I0。 * (4-4) 由上式可见，通过对半导体附加电导率的测量，可以计算出非平衡载流子的浓度，这是非平衡载流子浓度的基本测量方法之一。 在一般情况下，附加电导率⊿σ远小于半导体材料的原始电导率σ0，即⊿σσ0，这说明 76 注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度要少得多。对n型半导体来说就是⊿n＝⊿pn0，对p型半导体来说就是⊿n＝⊿pp0。我们把满足这个条件的注入称为小注入。反之，称为大注入。对掺杂半导体，因为平衡时少数载流子浓度与多数载流子浓度差异十分悬殊，因此，即使在小注入的情况下，非平衡载流于浓度还是可以比平衡时的少数载流子浓度多得多。例如，电阻率为1Ω?cm的n型硅，室温下n0≈5.5×1015cm-3，但少子浓度只有p0＝≈3.1×104cm-3，若注入⊿n＝⊿p＝1010cm-3的非平衡载流子，虽然⊿nn0是小注入，但⊿p几乎是p0的106倍，即⊿pp0，非平衡少数载流子的作用就不能忽略了。这些非平衡少数载流子在器件中起的作用极其重要，因此，通常所说的非平衡载流子，一般都是指非平衡少数载流子。 * 半导体处于热平衡状态时，在整个半导体中有统一的费米能级，利用这统一的费米能级，可以计算出热平衡时非简并半导体中的载流子浓度，即 (4-5) (4-6) 且 因此，统一的费米能级是热平衡状态的标志。 半导体受光照射产生非平衡载流子以后处于非平衡状态，在这种情况下不再存在统一的费米能级。电子和空穴的浓度分别有如下关系 (4-7) (4-8) 且 (4-9) 事实上，在非平衡态时，半导体系统处于一种所谓准平衡态。 * 在有非平衡载流于存在的这种准平衡态，由于导带和价带各自的内部是基本平衡的，可以用费米能级和费米分布函数分别描述导带和价带中的载流子分布。导带和价带