教案mos c-v技术讲座演示稿.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * -d(1/C2)/dt (1/C-1/Cf) (a) (b) (c) +V -V C 0 t Cox Cf Co 0 To t 0 图14 （a）单阶跃脉冲 （b）PMOS C-t曲线 (c) Zerbst曲线 * 五 脉冲高频C-t法（续） * 六 热电子发射 * 图15 自硅向SiO2的隧道注入（NFTEI）示意图 Ec Ev M O p-Si * M O p-Si Ec Ev 图16 自硅向SiO2的雪崩注入（AEI）示意图 * 七 C-V技术的应用 （一）设备 （二）监控测试 （四）测试曲线举例 结束语 （三）配合进行参数分析 * 设备的组成 1 计算机 2 7200电容仪 3 HP4140 4 打印机 * CSM系统的测试功能 Current-Voltage Measurements Junction Measurements Lifetime Measurements MOS C-T Measurements MOS C-V Measurements MOS N-W Measurements Oxide Integrity Measurements Production MOS C-V Measurements Quasi-Static and High Frequency MOS Measurements TVS Measurements * 二 监控测试 一般通过高频C-V测试确定氧化物有效电荷Qox（即所谓表面态Nss＝Qox/q）；并与温偏（BT）试验配合测定平带电压漂移△VFB以确定可动电荷密度Nm；用三角波（即高温下测离子电流）确定Nm；也测试SiO2的i-v特性。 * 三 利用C-V技术分析电路参数。 由PCM或CSM系统测试电路中相关器件对应的MOS电容参数，如 tox，N(w),Qox,Dit, τg ,并比较对应IC的MOSFET之参数，如 VT（tox，N，Qox，Not，Dit）; gm (tox, N, Dit) ; DRAM的刷新时间t（τg ，Dit）； （1）寻求合适工艺过程和Si材料以改进电路参数； （2）当电路参数出现偏差时，如VT 变化 ，则可通过C-V技术，找出 影响 VT变化的主要因素。 * 四 测试曲线举例1 * 四 测试曲线举例2 * 四 测试曲线举例3 * 四 测试曲线举例4 * 四 测试曲线举例a * 四 测试曲线举例b * 四 测试曲线举例c * 四 测试曲线举例d * 四 测试曲线举例e * 四 测试曲线举例f * 四 测试曲线举例g * 四 测试曲线举例h * 四 测试曲线举例i * END * * * * * * * * * C-V technology * MOS C-V technology 顾 军 * * 内容提纲 一 理想 MOS结构C-V特性 二 实际MOS电容的C-V特性 三 高温准静态测可动电荷 四 由脉冲高频C-V确定MOS衬底中的 掺杂剖面N-W 五 脉冲高频C-t法 六 热电子发射技术 七 C-V技术的应用 * 一 理想MOS结构C-V特性 （一）理想高频C-V特性 1、MOS结构示意图和高频等效电路 2、理论高频C-V曲线 （二）理论低频C-V特性 1、理论低频C-V曲线 2、准静态甚低频C-V曲线 * 1、理想MOS结构和高频等效电路 SiO2 V （a）MOS结构 n-Si M Cox Csc （b）MOS结构等效电路 * 理论表达式 V = Vox + Ψs （3） * 图2、理论的C-V特性 * 理论高低频C-V曲线 * 理想 MOS C-V 特性 但Csc = Cs0 = dQsc / dΨs≠ 0由（4）式可导出 Cs0 = [q2·ε0·εs·N /( K·T)]1/2 （6） 从而得MOS电容的平带电容（见