教案lecture24 第六章 理想mos电容器.pptVIP

Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province 理想MOS电容器 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province of Hefei University of Technology Hefei, Anhui 230009, China Tel.: E-mail: gbxu@hfut.edu.cn Chap.6 MOSFET Lecture 24：§6.2 Outline 1. 积累区（VG0） 2. 平带情况（VG=0） 3. 耗尽区（VG0） 4. 反型区（VG0） 对于一个理想的MOS系统，当外加偏压VG变化时，金属极板上的电荷QM和半导体表面空间电荷QS都要相应发生变化。说明，MOS系统有一定的电容效应，所以把它叫做MOS电容器；但一般说来：QM并不正比于外加偏压VG，需要讨论微分电容。 引言： 令C为MOS系统单位面积的微分电容，则： 微分电容C的数值随外加偏压VG变化，这个变化规律称