北航本科数电教学课件（胡晓光版）（本科教学用）第6章 大规模集成电路new.pptVIP

* 半导体存储器是一种通用型LSI,主要用来存放大量的二值信息，它是数字系统不可缺少的组成部分。 半导体存储器种类很多，其简单分类如下： ★ 双极型存储器： 是以双极性触发器为基本存储单元，具有工作速度快，功耗大的特点，主要用于对工作速度要求较高的场合。 ★ MOS型存储器 是以MOS触发器为基本存储单元，它具有集成度高、功耗小、工艺简单等特点，主要用于大容量存储系统中。 ☆ 从存取信息方式上分： ☆ 从制造工艺上分： ★ 只读存储器（ROM) 只读存储器在正常工作时只能读出信息，而不能写入信息，ROM中的信息是在制造时写入的，可以长期保存，即断电后器件中的信息不会消失，也称为非易失性存储器。 RAM在正常工作时可以随时写入或读出信息，但断电后器件中的信息也随之消失，因此称为易失性存储器。 RAM又可以分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM两类，DRAM存储单元结构非常简单，它所能达到的集成度远高于SRAM,但DRAM的工作速度没有SRAM快。 存储器的存储容量和存取时间是反映系统性能的两个重要指标，存储容量越大，说明存储信息越多，系统功能越强。存取时间越短，存储器工作速度就越高。 ★ 随机存储器（RAM) 行地址译码器 A0~A4 存储矩阵单元 I/O 读写控制 列地址译码器 32行 32列 存储容量＝行X列 32行X32列＝1024（1K) A5~A9 I/O 静态ROM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。 ROM:是存储固定信息的存储器，使用时只能读出所存的信息而不能写入数据。 一、ROM分类： 1、固定ROM(掩膜ROM): 用户专用ROM,用户将程序代码交给IC生产商，生产商在芯片制造过程中将用户程序代码固化在IC的ROM中，用户在使用过程只能读出不能写入。 2、可编程ROM(PROM) PROM所存的数据，由用户自己根据要求写入。但是只能写一次，不允许第二次改写。 适合于小批量试产使用，有保密位，可以加密。价格较高。 适合于大批量生产使用，性价比高。 3、可檫除，可编程ROM（EPROM) (程序调试期间使用） EPROM:用紫外光可以擦除ROM中全部信息。擦除时间几分钟，然后用专用编程器进行编程写入。 EEPROM:电擦除ROM，直接在编程器上用电压信号进行擦除。重新写入和擦除同步进行。擦除时间为20ms。 EAPROM:直接在系统中擦除和改写，可以擦除全部内容，也可以只擦除部分字节。正常使用只能读出不能写入。 只读存储器ROM中的数据可以存储5~20年而不丢失。 二、ROM工作原理 1、ROM结构 译码驱动 MXN矩阵 字X位 读出放大， 选择电路 A1 A2 An W0 W1 WM-1 B0 B1 BN-1 字线 位线 由三部分组成： ☆ 地址译码器 ☆ 存储矩阵 ☆ 读出放大，选择电路 当地址译码器选中某一个字线后，该字线的若干位同时读出。 212＝4096字XN位 （N=8、16、32） 地址码输入 ☆ 12位地址 读写 控制 1 1 输出缓冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 例：固定PROM 地址译码器 存储单元 字线 分析已存入数据的固定ROM电路。（二极管作存储单元） ☆ 地址译码器 ☆ 存储单元 地址译码器是一个与门阵列，每一个字线对应一个最小项，且是全部最小项。 存储单元是一个或门阵列，每一个位线是将所对应的与项相加，是最小项之和。 位线 1 1 输出缓冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 地址译码器 存储单元 ☆ 地址译码器（字线）和存储矩阵（位线）之间的关系。 0 1 0 1 D0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 D1 D2 D3 A0 A1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 字线W和位线D的每个交叉点都是一个存储单元。交叉点接二极管时相当于存1，没有接二极管相当于存0。交叉点的数目就是存储单元数。 存储容量＝字数X位数 ＝4X4 交叉点还可以接三极管、MOS管等。 只有W0为1其余为字线为0 0 1 1 0 有0为0，全1为1。 有1为1，全0为0。 ★ PROM通用阵列图表示法： 将字线和位线画成相互垂直的一个阵列，字线和位线的每一个交叉点对应一个存储单元，在交叉点上画一个“点”，表示该单元存“1”，否则表示该单元存“0”。 ★ PROM方框图：