北航本科数电教学课件（阎石版）第2章 逻辑门电路.pptVIP

2.1.1 半导体、二极管的开关特性 断：VI=VIH(=VCC)时 D截止 VO=VOH=VCC 通： VI =VIL时 D导通 VO=VOL 二．ＣＭＯＳ反相器电压传输特性和电流传输特性 １．电压传输特性： 　 2.4.3 传输门与模拟开关 一.传输门: 电路组成: 电路符号: 分析:设VTN=3V,VTP=-3V * * 第 二 章 逻 辑 门 电 路 2.1 半导体二极管三极管的开关特性 2.2 TTL门电路 2.3 TTL门电路的其他类型 2.4 MOS门电路 2.1 半导体二极管三极管的开关特性 2.1.1 半导体、二极管的开关特性 2.1.2 三极管的开关特性 +VCC R D VI V0 i V 2.1 半导体 二极管 三极管的开关特性 二极管具有单向导电性 2.1.2 三极管的开关特性 RC V0 T VBE 三极管 输入特性 VBE VON iB 输出特性 iB=0 iB增加 饱和 区 截止 区 VCE /V iC /mA +VCC RB VI 1.静态特性: 1) 截止：开关断开 VBE 0.5V iB≈0 ic≈0 VRC≈0 VO≈VC=VOH 发射结，集电结均反偏。 2) 饱和：开关导通 iB≥IBS iC很大 VRC很大 VO≈0=VOL VCES≈0 b c e RC +VCC  发射结,集电结均正偏: Vi VF -VR t t t ic Icm ic Icm ton toff 理想 实际 VCC RC VI V0 RB 2. 动 态 特 性: 2.2 TTL 门 电 路 2.2.1 TTL反向器 2.2.2 电压传输特性 2.2.3 输入端噪声容限 2.2.4 输入端负载特性 2.2.5 传输延迟时间 2.2.6 电源的动态尖峰电流 2.2.7 TTL门改进  2.2.8 与非门 2.2.1 TTL反向器(TTL—三极管-三极管逻辑电路) A 0.3v R1 R2 R4 R3 T1 T2 T5 T4 Y 通 止 止 IC1≈0 1V VL VH VCC T1通 T2止 则IC1=Ib2≈0,βIB1?IC1 I 0 R I R T4负载为T5(止) 则负载电阻趋向于 ,IB4≈0 V0=VCC-VBE4-VD-IB4R2=5-0.7-0.7=3.6v 则T1深饱和。 T2止 则VC2=VOH T4通 则VO=VOH VE2=VL T5止 则 设:VIH