北航本科数电教学课件（阎石版）第8章 大规模集成电路.pptVIP

* * * 第八章 大规模集成电路 一、存贮器 二、可编程逻辑阵列PLA 一、存贮器： 数字系统中存贮信息的部件，在计算机中常用于存放指 令和数据。 1.只读存贮器ROM（Read-Only-Memory） （1）ROM结构及原理 ROM分三类：固定ROM（掩膜ROM） 可编程ROM（PROM） 可改写ROM（EPROM） 存贮矩阵化简图： W0 W1 W2 W3 0000 0001 1100 1111 D0 D1 D2 D3 地址译码器： VCC W0 W1 W2 W3 地址译码 A0 A1 W0 W1 W2 W3 Y0 Y1 Y2 Y3 D0 D1 D2 D3 输出电路 存贮矩阵 以固定ROM为例： · A0、A1——地址中n=2，有2n=4个地址单元。 每个地址单元中存放m（m=4）位二进制数。 存贮容量为2n×m=4×4=16位。 · 输出缓冲器：常由三态门或OC门组成。 · W0-W3——字线；Y0-Y3——位线。 这里：交叉点表示一个存贮单元，无二极管表示存“0”， 有二极管表示存“1”。 (2) PROM和EPROM · PROM：出厂无任何信息，使用前由用户按需要将信息写入。一旦写入， 不能更改。 VCC Wi Yj PROM存贮单元： 由双极型三极管和镍铬熔丝组成。 出厂时：全部单元为“1”。 使用时：按需要，一次性编程处理——将 VCC加正电压，大电流将熔丝烧断， 单元写入“0”。 · EPROM：内部信息可写入、可擦除、可重新写入；断电后，信息不失。 有两种：紫外线擦除的EPROM；电擦除EPROM（E2PROM） Wi Yj S 迭层栅MOS管 浮置栅 有两个栅极，选择栅极（与普通一样）浮置删极。 出厂时：浮置栅无电荷，各单元均为1。 使用时：在选择栅极（Wi）和漏极（Yi）上同时加25V电压（正常工作电 压为5V）。正电场作用下电子堆积于浮置栅上，去掉电压后难 以泄露——保存。 擦除：强紫外线照射，使堆积的电子获足够能量返回衬底——恢复为 “1”。 EPROM存贮单元： 例：用ROM实现组合逻辑函数: 存贮字 二进制码 循环码 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 地 址 译 码 器 B0 B1 B2 B3 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15 读出电路 G3 G2 G1 G0 Y3 Y2 Y1 Y0 2.RAM——能随时在存贮器任一指定单元存入或取出信息的存贮器，又 称读/写存贮器。 （1）RAM结构及原理 存贮矩阵 地址译码器 三态缓冲器 存贮器 读写控制 A0 A1 An-1 D0 D1 Dm-1 A0-An-1:地址线，有2n个地址单元。 读写控制，“1”——读，“0”——写 输出允许端 片选端 （2）RAM的扩展: ①存贮器位数的扩展 当存贮器的字长超过RAM芯片字长时，需对RAM进行位数扩展。 2141（4K X 1位）—4K X 8位 4k=212 需12根地址线 2141 2141 7# 6# 2141 0# D7 D6 D0 A11 A0 解：1024×8位?1024个字，需10根地址线。 这里，已知256×8位RAM：256=28，即有8根地址线，设为A0-A7，还需增加两根地址线，设为A8、A9。 取第一片：A9A8=00 第二片：A9A8=01 第三片：A9A8=10 第四片：A9A8=11 地址分配： 器件 A9A8 地址范围A7A6A5A4A3A2A1A0 RAM(1) 0 0 0 1 1 1 00– 00 （0-255） RAM(2) 0 1 1 0 1 1 01– 01 （256-511） RAM(3) 1 0 1 1 0