金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 the test of gold-doped silicon detector and compensation for temperature.pdfVIP

下载本文档

8
0
约2.01万字
约 5页
2017-07-24 发布于上海
举报
版权申诉

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 the test of gold-doped silicon detector and compensation for temperature.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 the test of gold-doped silicon detector and compensation for temperature

第卷第期核电子学与探测技术 Vol.26 No.3 26 3 2006年 5 月 Nuclear electronicS Detection fechnolo Ma 2006 gy y 金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿张志龙!傅翠明!郝庆国 ( 中国辐射防护研究院9山西太原 030006) 摘要!金硅面垒半导体探测器多用于粒子的探测9由它组成的 \ 谱仪对环境温度的变化比较敏 O O B 感9表现为谱峰位的漂移9为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响9对其进行了测试研究9以便O 提高系统的测量精度关键词!金硅面垒半导体探测器9温度特性9补偿中图分类号! 文献标识码! 文章编号! ( ) fL814 0517.31 A 0258-0934 2006 03-0261-04 金硅面垒半导体探测器组成的 \ 谱仪9 O B 对环境温度变化比较敏感9最明显的表现为 O 谱峰位的漂移9漂移范围少则几道9多则100 多道9当环境温度变化较大而系统参数匹配又不太合适时9甚至有 200道的变化因此9有必要对半导体探测器温度特性做仔细的测试研究9 了解其对温度敏感的主要因素9掌握其规律性以便在系统设计时9采取适当的针对性措施9提图半导体致冷探测器的温度调节器 1 1 高系统的温度稳定性和测量精度度循环快9操作简单方便另外9被测探测器紧 1 探测器温度调节装置贴在调温的铝环上9铝环温度与探测器的温度测量半导体探测器的温度特性9需要调温非常接近(有短时间的滞后) 所以9用热电偶装置一般的恒温箱只能加热升温9降温要靠直接测量铝环的温度即可代表探测器的温度停热后自然冷却9做一个升降温循环9需要很长 2 探测器主要参数及温度特性测量的时间9而且体积庞大9操作不便另外9测量温度特性9需要准确地测量探测器的真实温度温度变化既然影响了谱的峰位9这说明O 这看似简单的问题9但做起来很难因为在探