恒流激励微型半导体桥发火临界性研究 study on critical firing current of micro-scale semiconductor bridge.pdfVIP

火工品 2011年06月 INITIATORSPYROTECHNlCS2011年第3期 文章编号：1003．1480(2011)03—0001-05 恒流激励微型半导体桥发火临界性研究 杨贵丽1，焦清介2，沈瑞琪1 摘要：为得到恒流激励下微型半导体桥的发火临界性，对微型半导体桥与I肿根药剂所组成发火件的电热过程 进行了实验研究，得到了响应过程中电阻的变化规律。基于传热学原理，建立了微型半导体桥稳态传热时的电热换能 模型，推导出临界发火电流表达式，将计算值与实验值进行了对比，证明了理论计算公式的可行性与合理性，对于微 型半导体桥安全电流的设计具有理论指导意义。 关键词：微型半导体桥；恒流激励；发火规律；模型；临界发火电流 中图分类号：TJ450．1文献标识码：A Critical on CurrentofMicro-scaleSemiconductor Study Firing Bridge YANG Gui～li，JIAOQing-jie2，SHENRui-qil ofChemical (1．School Engineering，NJUST，Nanjing，210094；2．StateKeyLaboratoryofExplosion Scienceand Institute Technology，BeijingofTechnology，Beijing，100081) the Abstract：Toresearchcriticalcharacteristicsofmicro-scalesemiconductor bridge(MSCB),theresponse characteristicsofresistanceis the data and observed ofMSCBLTNl；乙 by analysisofexperimentalofignitiondevice伽衄pl措ed the Basedon non-Fouderheatgolldugtion elecWa-thermalconversionmodelis formulaof tha哪，the energy embUshed,then criticalcml舶tisobtailltxL fromthetheoreticalmodelwith hasbeen frog Comp目mganal删results experimental妇，it demonmatedthatthetheoreticalmodelisreasonableandfeasiblefor the o,urentofMSCBdevice． designingsafety Keywords：Micro-scale 半导体桥(以下简称SCB)作为以电能输入的第时的温度分布模型，并且判定硅的熔点为临界爆发 三代火工品已经得到广泛应用，它与传统桥丝式火工 点，得出了临界爆发电流理论表达式。 品相比具有体积小、发火能量低、响应快等特点【¨， 为了进一步降低SCB的发火能量，在现有SCB 的基础上设