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带有非应变盖层的应变外延层的稳定性3
第 20 卷第 10 期 半 导 体 学 报 . 20, . 10
V o l N o
1999 年 10 月 . , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct
带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
金 智 杨树人 安海岩 马春生 王本忠 刘式墉
(集成光电子国家重点联合实验室 吉林大学实验区 吉林大学电子工程系 130023)
摘要 本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性. 针对目前的单扭结和双扭
结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点, 本文提出了一种混合扭结模型, 即在盖
层小于某值时, 应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释
放. 从我们的公式出发, 也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式, 从而使单
双扭结模型统一起来. 而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况, 这对于描述外
延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义. 本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚
度时应变层的临界厚度.
: 6170 , 4630 , 6220
PACC D C D
1 引言
等人[ 1 ] 提出的位错动力学模型, 已成功地用于解释 [ 1~ 3 ]、
Dodson SiGe Si InGaA s
[ 4, 5 ] 等系统的应变外延层的应变弛豫行为. 在这个理论中, 净应力 exc 是描述位错在应
GaA s
变外延层中运动和增殖的驱动力. 当净应力为 0 时, 对应的应变外延层厚度为临界厚度. 任
意结构的应变外延层的稳定性可以用净应力来估计. T sao 等人[ 6, 7 ] 和Hough ton 等人[ 8 ] 曾先
后给出净应力的表达式. 在这些表达式中, 对于不同的应变外延层结构, 有两种位错机制. 第
一种: 对于没有盖层的情况, 应变状态和净应力由单扭结模型来描述. 在这个模型中, 应变层
中的应变能是由在外延层和衬底的界面上产生的失配位错来释放. 第二种: 对于存在盖层的
情况, 应变状态和净应力由双扭结模型描述. 这个模型中, 应变层中的应变能是由在上下界
面同时产生的失配位错对来释放的. 在 T sao 等人[ 6, 7 ] 的双扭结模型的表达式中, 线位错的
线张力简单地为单扭结模型中线张力的 2 倍, 这是忽略了自由表面的影响. Hough ton 等人
考虑了这一影响, 对其表达式进行了修正. 其机制仍然是单扭结和双扭结模型. 这些理论中
一个明显的不足是: 只研究了单扭结和双扭结两种极端情况, 而没有考虑随盖层厚度的变
化, 由单扭结向双扭结的转变过程. 从物理上讲, 这是不可能的. 在生长一个有盖层的应变外
( )
本工作得到了国家自然科学基金和 的资助
金 智 男, 1970 年出生, 博士研究生, 从事半导体光电子材料与器件研究
杨树人 男, 1939 年出生, 教授, 从事半导体光电子材料与器件研究
刘式墉 男, 1935 年出生, 教授, 博士生导师, 从事半导体光电子学研究
收到,定稿
10 期 金 智等: 带有非应变盖层的应变外延层的稳定性 883
延层结构的过程中, 当应变层生长完后, 如果有应变弛豫发生是
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