华东理工_成教_应用电子技术 第五章.pptVIP

5.7 采样/保持(S/H)器 S/H框图和波形图 所谓采样/保持电路就是对模拟信号或者是不规则的信号间隔地采样, 并在两次采样的时间之间保持信号幅度的大小不变, 通常将其作为A/D转换器的前置电路. 采样/保持器的工作分成两个周期, 一个是采样周期TS， 另一个是保持周期TH . 一. 最简单的S/H电路 最简单的S/H电路 波形图 (1). 采样/保持开关 模拟开关, 广泛采用的是场效应管; 而且速度要快, 导通电阻、反向漏电阻、极间电容、夹断电压和开启电压要小. (2). 存储电容 其本身的泄漏电阻要大, 要具有较小的介质吸附效应. (3). 运算放大器 吸附效应的影响: 时间不够长时, 电压会下降; 时间过长时, 电压会继续上升, 再达到一个稳定值. 起到隔离和缓冲作用.要求速度快, 具有较小的偏置电流, 还要注意其所能承受的共模输入电压. * 5.1 微电流测量 5.3 峰值测量 5.4 相位测量 5.5 应变测量 5.2 电荷放大器 5.6 位移测量 5.7 采样/保持(S/H)器 5.8 比较器 5.9 质量测量 5.1 微电流测量 电流源 硅光电池 PH计 汞电计 + 参考电极 高内阻的电流源 什么是微电流? 多少小的电流才够得上微电流? (1). 似乎现在微安还算不上微电流; (2). 目前极限的微电流测量水平可达到 – 17次方数量极(直流); (3). 低内阻信号源比较简单(转换成电压源); (4). 高内阻信号源要求相对较高. 一般来说, 对级别不是很高的微电流源产生的电流进行测量时, 通常把它转换为电压量. 但是也有例外的. 所以, 从基本原理上来看, 分为两种方法: 电流放大型 电压放大型 一. 电压放大型微电流测量 1. 同相放大型 Is Ii Ib Rs + _ R1 Vi Vo R2 R3 R4 若设RS = ∞, 运放作为理想, 若存在失调电流Ib: 存在误差 所以这种电路就要求 Ib Ii 才能保持一定的精度. 此时Vi 就非常小. 由于Vi 很小, 那么失调电压又要对输出电压Vo产生明显的影响, 故设计电路时要综合考虑. 通常同相型电路是不适合使用的. 2. 反相放大型 反相放大型电压微电流测量电路 该电路相当于将输入电流分割成两部分, 一部分流过RS, 一部分流过R1和RF形成测量结果Vo. 但该电路同样对于偏流Ib的影响也很敏感, 影响其精度, 所以一般适用于100μA的微电流测量场合. 缺点: 输入电阻Ri = RS // R1, 对于理想电流源: RS = ∞, Ri = R1, 不管R1的大小, 对测量精度没有影响; 对于非理想电流源: 其RS往往随温度或电流源Ii 的变化而变化, 所以R1越大, 精度就越差. 如果R1太小, 又会受到Vos的影响. 所以此电路的R1既不能太大, 也不能太小,而要综合考虑. 总结: 电压型微电流测量电路对运放的性能要求非常高. 二. 电流放大型微电流测量 电流放大型微电流测量电路 精度要求: Ii Ib 电流放大型的优点: (1). 对于失调 电压Vos的影响已经大大削弱, 主要是和电流有关. 假设运放的开环增益为Ao, 输入阻抗为Rio, 通常情况下: 所以该电路的输入电阻为: 由于 Rio和Ao都比较大, 所以Ri 非常小, Ri≈0, 即虚短. (2). 输入电阻对测量精度几乎没有影响. 运放输入级 场效应管 双极型三极管 微电流测量要求运放具有高的Rio和低的Ib. (具有高输入阻抗, 一般地108~1012Ω; 温度特性差, 通常每上升8OC, Ib增加一倍.) (输入阻抗低, 但其Ib随温度上升而略微减小, 故具有良好的温度特性.) 所以要根据具体的测量源和测量环境来决定采用哪一种运算放大器. 三. 常用的微电流测量电路 常用微电流测量电路 该电路要求 RF R1 // R2, 这样一来, 忽略了R1、R2的电流比. 由此可见, 该电路的增益非常高. 但同样要求偏流Ib较小, 才能保证一定的精度. 另外需要考虑的一些因素! 5.2 电荷放大器 一. 什么叫 电荷放大器? 为何要采用电荷放大器? (1). 由于传感器的特性所决定; 其输出既不是电压, 也不是电流, 而是电荷; 其能量非常小, 不足以去推动负载. (2). 负载往往要靠电压量来驱动 具备以上功能的称为电荷放大器 二. 电荷放大器的特点 具有极高的输入阻抗, 极低的偏置电流. 因为电荷放大器所对应的信号源(传感器)的内阻非常高, 输出信号又很微弱, 一般其输出电流仅 pA级. 另外, 通常意义下的高输入阻抗(1012Ω)放大电路是无法使用. 电荷放大器