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第卷第期应用科学学报年月应用基于双权值的门替换方法缓解电路老化朱炯易茂祥张姚胡林聪刘小红梁华国合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥摘摘摘要要要在纳米工艺水平下负偏置温度不稳定性成为影响集成电路可靠性的关键性因素效应导致晶体管阈值电压增加老化加剧最终使电路时序违规为了缓解电路的效应定义了时延关键性权值和拓扑结构关键性权值使用该双权值识别的关键门更加精确并且考虑到了关键门的扇入门为非门的情况即将非门视为单输入与非门并将其替换为双输入与非门从而能更加全面地防护关键门应用基于双权值的门替换方法对基于晶
第 35 卷 第 2 期 应 用 科 学 学 报 Vol. 35 No. 2
2017年3月 JOURNAL OF APPLIED SCIENCES — Electronics and Information Engineering Mar. 2017
DOI: 10.3969/j.issn.0255-8297.2017.02.004
应用基于双权值的门替换方法缓解 电路老化
朱 炯, 易茂祥,
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