基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管和其模型.pdfVIP

第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 基于标准 CMOS 工艺的扇形磁敏晶体管及其模型 姚韵若 　朱大中 (浙江大学微电子技术与系统设计研究所 , 杭州 　3 10027) μ 摘要 : 提出一种基于 06 m n 阱标准 CMO S 工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管 ,给出了器件相对灵敏度的数学模型. 模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响. 通过计算机数值积分计算和实验测试结 果修正完善了器件的数学模型. 测试结果表明:研制的器件最大相对灵敏度为 377 %/ T ,扇形结构有利于提高分 裂漏磁敏晶体管的相对灵敏度. 关键词 : MA GF E T ; CMO S ; 几何修正因子 ; 相对灵敏度 ; 数学模型 EEACC : 2560 ; 3 120 中图分类号 : TN432 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) α 个漏区之间的间距; 表示源极区域的展宽角度; u 1 　前言 表示工艺中多晶硅露头长度. 扇形 MA GF E T 电学 特性类似标准 MO S 场效应管 ,它的磁学性质来源 ( ) 分裂漏磁敏晶体管 以下简称 :MA GF E T 是把 于两个分裂的漏极. 当有磁场作用于器件时 ,洛伦兹 磁学物理量转化为电信号的传感器 ,主要应用于恒 力将改变载流子的运动路径. 此时 ,在漏极的电流表 定磁场大小的测量 、磁介质存储器的读取等[ 1 ] . 因为 现为一个漏极电流增加 ,而另一个漏极电流减少 ,导 它可以采用集成电路制造工艺 ,把传感单元和后续 致了两漏之间存在差值电流 ID IFF = I 1 - I2 . 器件的 信号处理电路制作在同一集成电路芯片上 ,所以在 相对灵敏度就定义为 : 磁敏传感器研究中有着重要的价值. 1 IDIFF ( ) S = × 1 传统 MA GF E T 形状都为矩形. 实验结果表明 IDS B 矩形 MA GF E T 灵敏度有着 良好 的线性度. 近期 其中　B 是磁场强度; IDS = I 1 + I2 . Rubio 等人报道所研制的 MA GF E T 相对灵敏度高 达 30 %/ T[2 ] ;L au 等研究者提出了矩形 MA GF E T 的数学模型[3 ] . 基于 Rubio 等人