集肤效应在微波频率时导体的电流密度将不会是平均分布于整个导体.DOC

集肤效应 在微波频率时，导体的电流密度将不会是平均分布于整个导体内部，而是在表面附近有较大的电流密度，在导体中心部分的电流密度是最小的。我们称这种现象为〝集肤效应〞。〈因为电流密度集中于表面处。〉 图一 高频时的导体电流密度分布情形，大致如图一所示，由表面向中心处的电流密度逐渐减小。在此引进一个临界深度δ〈critical depth〉的大小，此深度的电流密度大小恰好为表面电流密度大小的1/e倍：......(1) 其中，f为频率，μ为导磁率〈H/m〉，ρ为电阻率〈mho/m〉。 由(1)可知，当频率愈高时，临界深度将会愈小，结果造成等效阻值上升。因此在高频时，电阻大小随着频率而变的情形，就必须加以考虑进去。 IC制作流程 ? 整个IC制作的流程大概可分为电路设计〈IC design〉、晶圆加工〈wafer fabrication〉、封装〈packaging〉及测试〈test〉四大部份，其关系如下图所示：? 当我们决定好对一个IC所要求的功能及其工作规格后，便开始着手电路设计。电路设计的主要目的在产生布局图〈layout〉，它能定义出晶圆加工制程中所需要的各层图案〈pattern〉。藉由布局图，可做成晶圆加工制程中所需要的各道光罩〈mask or reticle〉。 接下来的晶圆加工制程，可以说是整个IC制作流程中最复杂、资金及技术最密集的一部份。这个部份就是要将上一个设计程序所设计出来的电路及电子组件，能在晶圆上加以实现。而电路上所用到的电子组件〈晶体管、电阻、电容、电感...〉及其间的联机〈interconnection〉，则必须靠各单元制程〈氧化、黄光微影、薄膜沉积、蚀刻、参杂...〉间的反复配合才能完成。光罩在此的功用在于能定义出各层薄膜的图案、组件区域，或组件间的联机情形，以达所要的电路功能及规格。所谓的〝晶圆代工〞厂，就是专门将别家公司所设计出的电路，以该公司晶圆加工制造厂〈Fab.〉现有的技术能力及仪器设备，完成其晶圆加工制程之意。 晶圆加工完后的晶圆，一般会经过晶圆针测〈wafer probe〉的过程，将失败的晶粒加以标记〈ink dot〉。后将晶圆切割成一小片一小片的晶粒，好的晶粒才会送到构装〈packaging〉厂加以构装。 构装的材料一般为陶瓷或塑料，而构装的目地在保护其内的晶粒不会受到外界的机械性破坏〈刮痕...〉或免于水气微尘的渗入。除此以外，它还要提供内部晶粒电极和外部电路板相连的管道〈藉由内部打线，再用IC外壳的pin和电路板接通〉。随着IC功能的提升，构装的散热能力和尺寸大小都是构装技术必须考量的。 构装后的IC为了品质的确认，会进行测试〈test〉的步骤。在这里会进行一连串的电气测试，如速度、功率消耗...等，唯有符合客户需求规格的IC才能交给客户。 主动被动 曾在BBS的《electronics》版中看到大家在讨论〝什幺叫被动组件〞，当然元素也有参与其中的讨论，不过大家对于主动及被动组件的分别似乎有不同的看法。这个话题也曾经困扰过元素，在此元素不讨论真正的说法为何，只把我从书上找到的定义条列于下，供大家参考： 以下说法取自〝电子学辞典--伊恩辛克莱〈Ian R. Sinclair〉着；葛登巴尔绘图；陈荫民、潘大连译--猫头鹰--ISBN 957-8686-99-4〞。 说明 active component 主动组件 又称主动器件〈active device〉。一种能增加信号功率的电路组件。主动组件在工作时需电源，才能有可量功率增益〈power gain〉，这与电压增益或电流增益不同。 passive component 被动组件 不能产生功率增益〈power gain〉的组件〈component〉。诸如电阻器、电容器和线性电感器〈包括变压器〉都是被动的。有电源时的非线性作用，如在磁放大器〈magnetic amplifier〉中，能使组件归入主动组件〈active component〉中。 ? 在〝半导体的故事--李雅明着--新新闻--ISBN 957-8306-62-8--p214〞中有提到：在电子学中，我们一般把真空管、晶体管等，具有控制电压或电流的能力，可以完成开关或者达成增益功能的组件称为主动组件，而把像电阻器、电容器、电感器等不能做上述功能的组件称为被动组件。 半导体 半导体〈semiconductor〉，顾名思义，是导电力介于金属等导体和玻璃等非导体间的物质。若以导电率来看，半导体大致位于1e3和1e-10(ohm-cm)-1间〈当然这只是概分，这三者之间并没有制式的界限存在〉。室温下铝的电阻系数为2.5e-6 ohm-cm，而玻璃则几乎为无限大。会有这种现象是因为物质内部电子分布在不同的能量范围〈或称能带，energy band〉内，其中