IAEA 中子学（stage-1）基准的计算.PDF

Ⅰ. 反应堆物理及实验 39 CNIC-01638/04 CNNC-0003 IAEA 中子学（stage-1 ）基准的计算 （二维离散坐标方法） 黄锦华 冯开明 阳彦鑫 张国书 霍铁军 核工业西南物理研究院，成都，610041 摘 要：为开展ADS 系统的中子学设计研究，选择和建立了一套基 于离散坐标方法的计算软件。采用IAEA 基准题对该软件系统进行了 检验。在此过程中，了解和完善了对该软件系统的使用。该文对于起 始时刻（BOL ），对基准问题作了包括keff ，所需散裂中子源源强， 功率密度分布，能谱指标分布和空洞效应等计算。对燃耗过程计算了 各个核素（锕系元素和裂变产物）核密度的时间、空间分布。计算结 果用表格和图表示。结果与国外的计算基本相符。结论认为这套软件 系统可用于ADS 系统的优化设计研究。 关键词：ADS 系统 中子学基准题 离散坐标方法 前 言 为进行 ADS 设计研究，需要建立整套经过检验的方便和适用的中子学 计算软件。本文采用两维离散坐标方法，通过IAEA 的基准题[1]进行了检验。 ADS 系统的几何布置适合采用二维几何描述；与M-C 方法比较，二维离散 坐标方法计算时间较短，并能给出详细的计算结果。 1 计算模型和截面数据库 基准题为U-Th 循环。计算模型的几何布置、各区材料和其密度、散裂 源中子能谱等有关数据取自参考文献[1]。评价核数据库采用ENDF/B-VI, 经 过图1 的流程制作了中子能量为20 MeV 以下，光子能量为50 MeV 以下的 175n42γ ，47n21γ和30n21γ 等几个多群工作截面库以供使用。 40 Ⅰ. 反应堆物理及实验 2 有效增殖因子keff 计算 2. 1 给定有效增殖因子keff 情况下，233U 浓度值的计算 用二维中子输运程序TWODANT[2] 计算的几何模型（R, Z ）见图2 。截 面数据库：47 群中子21 群光子。来自基于ENDF/B-VI 的175 群中子42 群 光子的群截面数据库。计算结果见表1。 表1 给定有效增殖因子keff 下的233U 浓度计算值 keff(BOL) 0.98 0.96 0.94 233U 浓 国外计算的平均值 10.17 9.85 9.53 缩度% 本文计算的内插值 10.16 9.84 9.53 本文计算的keff 值 0.9803 0.9609 表 1 第二行是参加该基准题计算的国外计算[1] 的平均值，第三行是本 计算给出的内插浓度值，第四行是由内插浓度值再直接计算给出的 keff 值。 从表1 可见，浓度值计算与国外的计算结果是一致的。 2. 2 空洞效应（（Void effect ）） （（ ）） 空洞效应用反应性表示 δkeff/keff={keff(BOL,void)−keff(BOL)}/keff(BOL) 表2 给出了计算结果。 −−5 表2 1 区空洞效应/1+2 区空洞效应 pcm(反应性10−− )