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半导体专题实验-18229SOLAR
半導體專題實驗
實驗五 場效電晶體之製作與量測 (one mask)
One mask FET process
ㄧ、清洗樣品
目的： 使用 丙酮 (ACE) 甲醇 DI water 清洗樣品 。
實驗：
(A) 將 sample 放入裝有丙酮的燒杯裡，使用超音波震洗機 震洗 5 min。
(B) 使用 甲醇 洗去 sample 的丙酮 ,將樣品放入裝有甲醇的燒杯裡，使用
超音波震洗機 震洗 3 min。
(C) 使用 DI water (去氧離子水) , 沖洗 sample 1min。
(D) 使用 氮氣槍 仔細吹乾 sample 表面的水。
二、定義鍍鋁的圖形
簡介： 一般常用的光阻分成兩種，
光 罩
光 阻
氧 化 層
Si ( 矽 晶 片 )
顯 影 後
正光阻 負光阻
目的： 利用曝光顯影的技術 ， 將需要鍍金屬的區域定義出來。
實驗：
(1.) 塗佈光阻
(A) 將 sample 放置於 塗佈機上， 旋轉測試
1000 轉 10 sec ，4000 轉 40 sec。
(B) 測試完畢後 ， sample 滴滿光阻 ， 啟動。
(C) 拿取 sample。
(2) 曝前烘烤 (軟烤)
(A) 放入 90.c 烤箱內 , 5 min 。
(3) 曝光
(A) 放置光罩 (鍍金屬的那面朝 sample)
(B) 放置 sample ， 曝光 12 sec。
(4) 烘烤 ( 目的使光阻特性改變)
(A) 將 sample 再 置入烤箱 100.c 15min。
(5) 再曝光( 改變成 負光阻) (不用 mask)
(A) 將 sample 再 曝光 35 sec。
(6) 顯影
(A) 倒顯影液進入燒杯中。
(B) 將 sample 置入顯影液 ，顯影 28 se
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