热挤压态SiCp-AZ91镁基材料显微构成及其腐蚀行为分析.docVIP

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热挤压态SiCp-AZ91镁基材料显微构成及其腐蚀行为分析.doc

  热挤压态SiCp/AZ91镁基材料显微构成及其腐蚀行为分析 第 1 章 绪 论 1.1 研究背景与意义 镁及镁合金是自然界中能够使用的最轻的工程金属材料[1]。镁的密度为 1.74kg/dm3,重量是同体积铝的 2/3,同体积钢铁的 1/5。镁性能优良,在自然界中储量丰富,具有一系列的优点如较高的比强度、比刚度、优良的加工性能、阻尼性能、抗震、能屏蔽电磁辐射和易于回收利用等,是目前轻量化的热门材料,因此被广泛应用于机械制造、汽车工业、航空航天等各个领域[2-4]。尽管如此,由于镁合金相对较低的力学性能限制了其应用范围。为了提高镁合金的力学性能,人们采用陶瓷颗粒、晶须或纤维进行增强,并已成为扩大其应用范围的一个重要手段[5]。镁基复合材料的研究始于连续纤维增强镁基复合材料[6],但由于较高的材料成本和制备成本,限制了其应用范围。自 1987 年人们首次将 Al2O3短纤维增强铝基复合材料用于制造柴油发动机活塞以来,非连续增强金属基复合材料的研究和开发工作获得了飞速的发展[7]。镁合金及镁基复合材料的性能优良,在某些方面,甚至超过了铝合金及其复合材料,但较差的耐蚀性能制约镁合金及其复合材料应用和发展。目前国内外学者对镁基复合材料的研究主要集中在力学性能及其动态再结晶机制等方面[8-12],而对于腐蚀行为及机理的研究报道相对较少,且不够系统。镁基复合材料的腐蚀性能与材料的成分、组织结构,特别是第二相紧密相关。而这些因素与制备材料时所采用的冶金方法和成行工艺有关。因此,研究采用特定成行工艺制备的镁基复合材料的显微结构对其腐蚀行为的影响,对建立腐蚀模型、揭示镁基复合材料腐蚀机理及完善相关科学理论具有重要意义。 1.2 镁及镁合金的腐蚀 1.2.1 镁及其合金腐蚀的特点 已有研究[13-16]表明,纯镁及其合金的腐蚀的特点主要有以下几个方面: 1. 标准电极电位为-2.37V,在所有结构金属材料中最低,在水溶液中极易析氢分解。但是,镁及其合金对溶液中的 O2不敏感[17]。 2. 镁极易氧化,在水溶液中镁会生成一层不能完全覆盖其表面的腐蚀产物 Mg(OH)2的部分保护膜[18,19]。随 pH 值升高,保护膜逐渐趋于稳定。镁的腐蚀主要发生在部分保护膜未能覆盖的地方。 3. 在含 Cl-溶液中,镁及其合金的点蚀击破电位 Eb负于其腐蚀电位 Ecorr[20]。也就是说,在阴极状态下,镁及其合金的部分保护膜就已经破裂。 4. 在腐蚀发生的位置,镁及其合金表面的析氢过程包括电化学析氢反应和化学析氢反应[13]。 5. 镁合金在腐蚀过程中通常会造成未溶解的微小金属颗粒的脱落[13],即使纯镁也是如此[14]。 6. 负差数效应。电化学将所有的腐蚀反应分成阳极过程和阴极过程。正常情况下,如在酸性介质中,极化电位或电流正移,将导致腐蚀电极上的阴极析氢反应速度减小,而使阳极反应速度增大[13]。但是镁及镁合金的析氢行不同于普通金属,随极化电位或电流正移,析氢反而加速。这种现象被称之为负差数效应[13,16]。 7. 易发生电偶腐蚀。镁的自腐蚀电位很低,当镁及其合金与其他金属材料接触时,通常会构成电偶,镁及其合金呈现牺牲阳极的作用而加速腐蚀溶解,发生电偶腐蚀;同时镁合金内部的第二相或杂质元素的存在也容易引起内部微电偶腐蚀[13,16]。 第 2 章 实验材料和研究方法 2.1 实验材料 测试 6H-alpha;-SiC 动电位极化曲线的 SiC 材料为热压烧结的块体材料,宏观形貌如图2.1 所示,为河南白鸽集团股份有限公司郑州磨料分公司生产。由于直接购得的热压烧结 SiC 表面含有 SiO2等杂质,因此,X 射线衍射分析前,首先将 SiC 块体材料打碎,在浓度为 10%左右的 HF 溶液中清洗干净,再用去离子水洗涤至中性,最后烘干。通过 X射线衍射分析可得,热压烧结 SiC 为 6H-alpha;-SiC,六方结构,如图 2.2 所示。本实验用材料为热挤压态 AZ91 镁合金及半固态搅拌铸造后经热挤压法制备的 SiC颗粒增强 AZ91 镁基复合材料,SiC 颗粒的体积分数分别为 2%、5%、10%和 15%。热挤压态 AZ91 镁合金及 SiCp/AZ91 MMCs 基体合金 AZ91 合金的主要化学成分组成如表 2.1 所示。SiCp/AZ91 MMCs 中的增强相 SiC 颗粒的尺寸均为 5mu;m,晶体结构均为 6H-alpha;-SiC,六方结构。 2.2 显微组织观察与结构分析方法 2.2.1 扫描电镜组织观察及能谱分析 对实验中所用的热挤压态 AZ91 镁合金和 SiCp/AZ91 MMCs(SiC 颗粒体积分数分别为 2%、5%、10%和 15%)的横、纵截面进行扫描电子显微观察,采用二次电子和背散射两种模式。所用的仪器型号是 FEI

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