半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展.pdfVIP

第24卷第3期 摩擦学学报 Vol24，No3 2004年5月 TRIBOLoGY May，2004 半导体芯片化学机械抛光过程中材料 去除机理研究进展 赵永武1，刘家浚2 (1．汀甫大学机械电子系，江苏无锡214063；2清华大学机械工程系，北京100084) 摘要：就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述，总结r集成电 路芯片常用介电材料_二氧化硅“及导电曩连材料钨、铝及钢的化学机械抛光研究现状和进展，进而分析丁化学机械抛 光过程中化学作用同机械作用的协同效应，指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议，蹦此有必要在 CMP研究领域引入原予力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术，以便在深入揭示CMP过程中材 料去除机理的基础上，为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据 关键词：芯片I化学机械抛光(CMP)；材料去昧机理；化学一机械协同效应 0283—05 中囝分类号：0484．4；TGll5．5+8文献标识码：A 文章编号：1004—0595(2004)03 集成电路芯片是计算机和手机等多种高科技信 载荷完全由流体动压润滑膜承担，待抛光芯片表面材 息产品的心脏．近年来，随着国内芯片制造业的迅猛 料的去除是由于抛光液的剪切冲蚀所致，并应用 发展及许多世界著名芯片制造商在国内建厂的相继 投产，对芯片制造过程中‘些关键技术的理论和应用 流体冲蚀去除模型．遗憾的是，利用该模型难以解释 研究愈来愈引起人们的高度重视．作为芯片制造过程 抛光过程中抛光液所含磨粒以及化学作用对抛光效 中频繁使用的最重要的工序及保持亚微米集成电路 芯片整体和局部平面化的关键技术之一[1]，化学机械 抛光(简称CMP)受到了国内外研究者的高度关注． 化学机械抛光机理涉及摩擦学、力学、化学、材料学和 表面工程技术等多个学科．雷红等03总结了CMP技 术的发展历史及存在的问题．本文针对国内外关于 CMP摩擦学机理的研究现状及进展进行评述，期望 能对国内该领域的研究者有所裨益． 1 SchematicofCMP 1化学机械抛光过程中材料的去除机理 Fig diagram system 图1芯片化学机械抛光原理示意图 图1示出_广芯片化学机械抛光的原理示意图．将 待抛光芯片正面向下同橡胶材料制作的抛光盘表面 果的巨大影响，同时亦无法解释其对抛光盘表面粗糙 接触，抛光盘以等速单向旋转，阱保证芯片表面各点 度的影响；而实验证明，若无磨粒或化学作用的影响， 的相对速度一致．待抛光芯片和抛光盘之间引入连续 芯片的抛光速度至少会降低1个数量级‘“，且完全处 流动的抛光液，抛光液含有能同芯片表面材料发生化 于流体动压润滑区的CMP抛光速度极其缓慢[6]．计 学作用的成分以及纳米量级的陶瓷抛光磨粒．显然， 算表明，抛光液中磨粒的切向运动所提供的能量比芯 CMP过程中材料去除的摩擦学机理与芯片／抛光盘 片表面材料去除所需的能量至少低2个数量级，因此 接触表面之间的载荷密切相关．Runnels等”“1认为，可以认为磨粒的冲蚀磨损不应是材料去除的主要机 基金项目；江南大学留学叫国人员启动基金资助项目． 05 edu．cn 收稿日期：z00330}恬凹日期；2003一