基于硅工艺的12 GHz单片接收RF Front-End设计.PDF

第35 卷 第4 期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vol.35 No.4 2006 年8 月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Aug. 2006 基于硅工艺的12 GHz单片接收RF Front-End设计 1 2 1 1 马建国 ，韩 磊 ，谢李萍，汪金铭 (1 电子科技大学电子工程学院 成都 610054; 2. 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 610054) 【摘要】提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统，该系统含有 低噪声放大器、混频器和第二级放大器，所有的电路都集成在硅材料工艺中，可以用于频率在12 GHz的卫星通信频段信号的 接收。 关 键 词 射频前端系统; 硅; 低噪声放大器; 混频器; 第二级低噪声放大器; 本振 中图分类号 TN402 文献标识码 A A Design of 12 GHz Silicon Monolithic RF Front-End Receiver 1 2 1 1 MA Jian-guo ，HAN Lei ，XIE Li-ping ，WANG Jin-ming (1. School of Electronic Engineering, Univ. of Electron. Sci. Tech. of China Chengdu 610054; 2. School of Microelectronics and Solid -State Electronics, Univ. of Electron. Sci. Tech. of China Chengdu 610054) Abstract A 12 GHz monolithic silicon bipolar receiver for digital video broadcasting via satellite (DVB-S) is presented. The receiver is based on a superheterodyne architecture. Which include Low Noise Amplifier (LNA), Mixer and second LNA (LNA2). All circuits are fabricated in Si process. This work reports the 12-GHz DVB-S monolithic receiver integrated in a low-cost silicon bipolar technology. Key words RF front-end; Si; LNA; mixer; LNA2; local oscillator 在过去的10年，射频和微波通信有着巨大的应用市场需求。已经有在频率较低频段大量采用CMOS工艺 或BiCMOS工艺的RF前端电路的报道，而对于工作频率更高的12 GHz频段，如卫星通信电路的研究有待发 展。12 GHz频段的信号不仅可以实现卫星电视信号传送，也可以QPSK调制的方式传输高达50 Mbps的数据。 文献[1]的卫星通信与跟踪系统显示了数字视频广播通信卫星(Digital Video Broadcasting Via Satellite，DVB-S) 的重要应用。12 GHz 属于Ku波段(11.7～12.2 GHz下行；14.0～14.5 GHz上行) ，是专门为卫星通信划分的频 段，该频段也是目前重要的研究方向。 对于12 GHz这样高的工作频率，早期的