qs微机原理第06篇.pdfVIP

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第六章半导体存储器 BUPT 重点: 半导体存储器的分类,各自的优缺点 存储器芯片的容量、管脚 与CPU的连接,构造存储系统 难点: 与CPU的连接,构造存储系统 4学时 6.1 概述 BUPT 一、存储器分类 1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类 ⑴ 主存储器:速度较快,容量较小,价格较高,用于存储 计算机运行所需要的程序和数据,可与CPU直接交换 信息,习惯上称为主存,又称内存。 ⑵ 辅存储器:速度较慢,容量较大,价格较低,用于存放 计算机当前暂时不用的程序、数据或需要永久保持的信 息。辅存又称外存或海量存储器。 2、按存储介质和作用机理分类 ⑴ 磁存储器,主要有磁芯、磁带、磁盘、磁泡和磁鼓。 ⑵ 光存储器,只读式CD-ROM、可擦写光盘。 ⑶ 半导体存储器,当前计算机系统的主存主要用半导体存 储器。 6.1 概述 BUPT 3、按存取方式分类 ⑴ 微机内部 ①随机存取存储器RAM,特点是存储器中的信息可读可 写,半导体RAM断电后信息会全部丢失(易失性)。 ② 只读存储器ROM,特点是存储器中信息只能读出,不能 写入,关机后信息不会丢失(非易失性)。 ⑵ 微机外部 ① 直接存取存储器DAM,如磁盘、光盘等,可直接对存储 器中任何单元进行访问,存取时间与存储单元的物理位 置无关。 ② 顺序存取存储器SAM,如磁带。对存储单元的访问是按 顺序进行的,与存储单元的物理位置有关。 6.1 概述 BUPT 二、半导体存储器的特点 ⑴ 速度快,存取时间可到ns级; ⑵ 集成度高,不仅存储单元所占的空间小,而且译码电路 和缓冲寄存器、读出写入电路等都制作在同一芯片中。 目前已达到单片1024Mb (相当于128M字节)。 ⑶ 非破坏性读出,即信息读出后存储单元中的信息还在, 特别是静态RAM,读出后不需要再生。 ⑷ 信息的易失性 (对RAM),即断电后信息丢失。 ⑸ 信息的挥发性 (对DRAM),即存储的信息过一定 时间要丢失,所以要周期地再生(刷新)。 ⑹ 功耗低,特别是CMOS存储器。 ⑺ 体积小,价格在不断地下降 6.1 概述 BUPT 三、半导体存储器的分类 Flash 6.1 概述 BUPT 半导体存储器主要分为两大类: 随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 RAM分为静态RAM (SRAM )和动态RAM (DRAM)两种。 目前计算机内的主存储器都是DRAM,它的集成度高、功耗很 低,缺点是需要再生(刷新)。SRAM是非挥发的,所以不需 要再生,但集成度比DRAM要低,计算机中的高速缓冲存储器 大多用SRAM. 现在有一些新的RAM,如组合RAM (IRAM), 将刷新电路与DRAM集成在一起;非易失RAM (NVRAM), 实际上是由SRAM和EEPROM共同构成。正常情况下,它和 一般SRAM一样,而在系统掉电瞬间它把SRAM中的信息保存 在EEPROM中,从而使信息不丢失。 只读存储器ROM的特点是用户在使用时只能读出其中的信息, 不能修改和写入信息。 近几年出现了一中新的存储器叫Flash存储器(闪烁存储器),

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