现代微机结构概述.PPT

* 3. PCI设备与功能号 PCH芯片是一个多功能的芯片，它把各种功能划分到多个逻辑设备中，每个逻辑设备又分各种功能。 比如PCI-to-PCI桥是总线0，设备30，功能0（简写为B0:D30:F0）。 * * 4. PCH与系统电源状态 PCH的电源管理模块（D31:F0）符合ACPI2.0规范，提供电源与热量管理。 * 5. Super IO LPC47B27X芯片 用于连接传统设备，如键盘，鼠标，串口，并口，硬盘等 * 主板总线结构发生改变 总线带宽增大 总线发展串行化趋势明显 串行化的SATA, PCI Express, USB, SAS( Serial Attached SCSI ) 正在逐渐替代相应的并行总线 微处理器性能不断增强 流水线→超标量→动态执行技术→超线程技术→多核技术 器件被高度集成 分立器件→南北桥→CPU融合北桥→SoC 电子工艺不断改进 制程遵循摩尔定律（800nm→… →45nm→32nm→22nm） 新材料的出现（高K金属栅极、3栅极晶体管） 保持向上兼容性 1.3.4 现代微机发展的特点 * * 强调接口技术包含硬件接口和软件接口 * * 课堂只讲蓝色的章节，和绿色章节的部分内容。第4章看时间而定 * * * * 8088中IOR#，IOW#， MEMR#和MEMW# 与IO/M# ， RD# ， WR# 的关系： IO/M# RD# WR# IOR# 1 0 1 IOW# 1 1 0 MEMR# 0 0 1 MEMW# 0 1 0 * 和8088的时序图相比，注意这个时序图的突发传输的特点，一次地址，4次数据 * 列出即可，不细讲 * * 　　xx纳米是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。半导体业界习惯上用线宽这个工艺尺寸来代表硅芯片生产工艺的水平。早期的连线采用铝，后来都采用铜连线了。 高K金属栅极 既然继续采用二氧化硅作为栅极介电质没有前途，那么就要另辟蹊径，有没有可以代替二氧化硅的材料呢？就是寻找比二氧化硅更好的“绝缘体”，用以更好的分隔栅极和晶体管的其他部分，而且替代材料需要具有比二氧化硅更高的介电常数和更好的场效应特性。 　　说到这里，需要先解释一下，什么是材料的高介电常数和场效应？就是材料应具有良好的绝缘属性，同时在栅极和晶体硅衬底上的通道之间(源极和漏极之间)产生很好的场效应－－就是高-K。 　　高的绝缘属性和高-K属性都是高性能晶体管的理想属性。K 其实是电子学的工程术语，K源于希腊文Kappa，用于衡量一种材料存储电荷(正电荷或者负电子)的能力。类比于不同吸水的材料，海绵可以吸附和存储大量的水，木头可以存储一些水分，所以海绵比木头的“K值”更高。具有高K的材料可以比其他材料能够更好地存储电荷。 “高-k栅介质+金属栅极晶体管是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体（MOS）晶体管以来，晶体管技术领域里最重大的突破”。英特尔公司的创始人之一，也是摩尔定律的提出者－－戈登 ?摩尔（Gordon Moore）博士给出了这样极高的评价。 3栅极晶体管 3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。 这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流，同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零，而且能在两种状态之间极速切换(还是为了高性能)。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度，从而获得更高的性能和效率。 现代微机原理与接口技术(第3版) / * 主讲教师：杨全胜 王晓蔚 东南大学计算机科学与工程学院 微型机系统与接口技术 2013版 * 本课程在计算机课程体系中的位置 硬件类 软件类 CPU及整机设计（计算机组成原理） BIOS与接口驱动程序设计 模拟电路、数字逻辑电路设计 嵌入式系统 SOC芯片设计 计算机系统结构 外围接口电路设计 操作系统 编译系统 数据库 数据结构 C++ JAVA 离散数学 计算机系统综合设计 电子商务 多媒体技术 … 算法设计、数值分析、信号与系统、计算机理论课程、数学基础课程 汇编语言 软件工程 C# … * 0.2本课程的教学目的 掌握各种接口技术原理及其应用编程方法；提高分析和设计接口的能力。 掌握汇编语言程序的编写方法，尤其掌握接口访问的方法。 了解先进微处理器