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磁阻传感器一维、二维磁阻微电路芯片(HMC1001、HMC1002).PDF

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磁阻传感器一维、二维磁阻微电路芯片(HMC1001、HMC1002)

磁阻传感器 一维、二维磁阻微电路芯片 、 ) (HMC1001 HMC1002 概述 是一维磁阻微电路,是一个单边封装( )的磁场传感器,感应与管脚方向 HMC1001 SIP 平行的磁场。 HMC1002 是两维磁阻微电路,是封装在小型集成电路封装(SOIC)的双磁场传感器。 两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器 感应与外封装长边方向平行的磁场,传感器 A B 感应与外封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。 在外磁场的作用下,磁阻的变化引起输出电压(OUT +和 OUT- )的变化,并直接表示 磁场的强度。由于器件本身不需聚磁器,所以不会导致迟滞和非重复性。芯片内置有霍 尼韦尔专利的电流带,不需要外部线圈。 传感由四个800-900 欧姆的磁阻臂组成惠斯通电桥,在± 2Oe 的范围内具有灵敏度为 2.6mV/V/Oe 的线性输出,电桥的噪声密度在1Hz 以上为25nV/Hz. 。传感器的工作电压 为 — 。电桥输出的差分放大受桥路的失调电压影响。当工作电压为 时,无外 0 10V 8V 磁场作用下的失调电压通常为 — 。 -10 25mV 除了磁阻电桥电路之外,传感器内有有一个磁耦合电流带可进行多种模式的操作。磁场 偏置电流带(OFFSET+ 和OFFSET- )上每通过50mA 的电流。相当于在与敏感轴交叉 的方向上提供 的磁场。另一种用法是在偏置电流带上提供反馈信号电流,传感器工 1Oe 作在闭环模式下。 二十脚小型封装的二维磁阻传感器管脚示意图 箭头所指方向为传感器产生正输出的磁场方向 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电桥电压 工作电压,-40~8 ℃ 12 V 电桥电阻 桥路电流=10mA 600 850 1200 Ω 测量范围 线性全量程 -2.0 +2.0 Gauss 磁场分辨率 (4) 带宽=0~10Hz,S/R 脉冲=4A 27 µ Gauss 线性度 (4) 最佳曲线拟合法 ± 1 gauss 0.1 0. % 满量程 ± 2 gauss 1 2 电桥失调 设置脉冲后零磁场,电桥电压=8V

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