第四章--扩散.pptVIP

第四章 扩散概述 1.???? 间隙式扩散机构 存在于晶格间隙的杂质，主要是半径小的杂质原子如Li、Na、K、Ar、He、H 。它们在Si中扩散运动是以间隙方式进行的。 2、? 替位式扩散机构 B、P、As、Sb、Al、Ga、Ge等杂质。替位杂质：占据晶格位置的外来杂质。如果替位杂质周围无空位，它必须要互相换位（与晶格上的原子，如B、Si等）才能实现往邻近晶格上运动 4.2 扩散方程 扩散运动 必要条件 重要因素 扩散结果 1、????????? 扩散方程的通解：（数学部分自学） 可得到 无限大物体扩散方程的通解式（3-11） －∞≤x≤∞ 半无限大的物体扩散方程通解，式（3-13）0≤x≤∞ 2、 扩散方程的特解：（数学部分自学） 限定源：书P70（3-20）（3-21）式浓度分布 恒定源：（3-32）浓度分布 扩散杂质分布的特征 （1）?? 恒定表面源扩散（两步法扩散中称为预扩散、预淀积） 边界条件： x＝0时， N（0，t）＝Ns t≥0 x＝∞时， N（∞，t）＝0 初始条件： t＝0时 N（x，0）＝0， x0 例1、制造npn小功率高频管，功率为300mW，频率150MHz，击穿电压VB为150V，最大电流Imax为800mA，电流放大系数β≥50-60，表面电阻为220Ω/ □ 例2、制造npn大功率管，功率为50