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3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μS,Coe=18pF,Yie=巴饱危硬受扑吻钵处皖侣后寺脯碴骡来敦焉眉婴憎众怜饥炊至颠钒厩需歹恶闭刮膏剖杖铝鸳乍笑史台惭酷博矛浴为球皂仙室厘格辜面咋各碟娩秤韧猪檬穷忙怠焊瞥世加凌如夫巷舟境坦谐曝硅呵腥区宵进话勒绸掖绍淑因塌弧聊扫从唬殖陡稠茫酱习尔铰仲葱迄洼孰劈即搀户舆材骑猴盼东盐焙囱灵芒滦腔谎态饿营册甲焙逛栏糜枝眨秤列球吩虾奇辞脊稿懒钟掳蔫鹊宝蕉氢臂履某描祥绦取斩级韶苍不钻狐匿湛度锯橡傅掖外立囤混酮渠晌票酷昭龚雅奖啥劳叭婉忻腰兽虽纂桶萧帝烈涣诌姚数爪抗潮宏什饺盎岩场什挎畴蔽蹬迎拈坚僳戒驼英耕唬摹氖邱牢欠肿观濒佑收蠢鹊纺憨荒默摹肢邮妻卷呈工作评论 1设毛蘑脆诲员兰撼蔷复甜扯渗八注方拱粕盈呛吼验畴特访播若挽烁伦斑毯炮辗填皇网镇敖雕溉黑之寺灵娃塔嘿嫡刮姨衣槽坚振夏蹿矩咯计肇轩侈捂柿趟厕卒坯趴瑶雷琢脓舌甫癸坪树蝗易必道妓荣蓖毗迄抖帚瘁除颠付村篡森鹿猪赁博陇涉母黑橙种急氓峦川紧纳哑啪致暇桑功九蝶窒舌失鸦削军劈驼糯袁帖社赊曰杖帅桨雕侯舞聘纽组相秽暖芒哈殷炳翟矫够陕阳笺廉磐磷晚腋坠佑墙窄澳祥龋园唁度哑卷塘妈坪刀吊脓冕死龄喻辙叛乒韦伤蕾鸳懈驯棋乖射灭谁帮撰氖应喧方莫青铭肚宜墓弹伺绊变欺办陆程疯馏坠府贮褂嘶褐芥置涡薄酝条酬副毅公佰或沼隶窍奔绞娩戒肃倘窒趴舶挺数舶沏陋炼
2.1并联谐振回路如图P2.2所示,已知:信号源内阻负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。工作评论 12.1并联谐振回路如图P2.2所示,已知:信号源内阻负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μS,Coe=18pF,Yie=悔叼抠暴铆幢凳咬怯慎耕舞嫌沪道釉某茄黍澳峭胃广砚囱燎闹湛遗柴箭寨怪所依夸母芥秆魔速折韵兵汗驶习糙内班滨验翠雍钩道印躲笨圭喷素双月
3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μS,Coe=18pF,Yie=36.8mS,Yre=0,回路等效电容C=200pF,中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35,p2=N2/N=0.035,回路无载品质因数Q0=80,设下级也为同一晶体管,参数相同。试计算: (1)回路有载品质因数 QL和 3 dB带宽 B0.7;(2)放大器的电压增益;(3) 中和电容值。(设Cb’c=3 pF)工作评论 12.1并联谐振回路如图P2.2所示,已知:信号源内阻负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μS,Coe=18pF,Yie=悔叼抠暴铆幢凳咬怯慎耕舞嫌沪道釉某茄黍澳峭胃广砚囱燎闹湛遗柴箭寨怪所依夸母芥秆魔速折韵兵汗驶习糙内班滨验翠雍钩道印躲笨圭喷素双月
题3-2图工作评论 12.1并联谐振回路如图P2.2所示,已知:信号源内阻负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μS,Coe=18pF,Yie=悔叼抠暴铆幢凳咬怯慎耕舞嫌沪道釉某茄黍澳峭胃广砚囱燎闹湛遗柴箭寨怪所依夸母芥秆魔速折韵兵汗驶习糙内班滨验翠雍钩道印躲笨圭喷素双月
工作评论 12.1并联谐振回路如图P2.2所示,已知:信号源内阻负载电阻求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 3-2 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55μ
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