LED照明技术研发壁垒探讨.pdfVIP

电工文摘／综述 LED照明技术研发壁垒探讨 章荷珍1 陈大华： (1．上海101厂，上海200040；2．复旦大学电光源研究所，上海200433) 摘要 近20多年来，LED已在发光效率、寿命，稳定性等方面取得了巨大的突破，孕育着21世纪照明的革命。但目前LED光 源在芯片质量、光电性能，封装工艺和材料、散热技术，驱动电路，非成像光学设计、相关标准和性价比等方面还存在问题， 使LED在照明的推广应用中呈现说易行难的局面。因此试图通过对研发LED光源的壁垒进行探讨，结合LED发展的现状，提出 使LED更广泛地进入照明市场的可行思路。 关键词LED照明壁垒散热驱动电路性价比 引言 改进晶体的外延工艺、减少晶体的错位等缺陷，通过优化量 LED光源具有体积小、抗震动、直流低压、安全、易调 子阱阱宽等措施改善量子阱结构，从而进一步提高芯片质量 光控制、光效高、色彩丰富、寿命长、环保等优点，是照明 和改善器件性能。提高外量子效率，主要是从芯片技术角度 史上继白炽灯、荧光灯、高压气体放电灯之后光源研发的一 出发，如优化衬底剥离技术、表面粗化技术和采用光子晶体 次重大飞跃。尤其是20世纪90年代初，日本研究者中村修 结构等，这些技术措施同时也能提高芯片内量子效率。 二成功研制出掺Mg的同质结GaN蓝光LED，以及稀土黄色荧 目前LED光效的提高已获令人瞩目的成就。实验室研制 光粉的突破，为白光LED光源真正进人普通照明应用奠定了 的LED光效达到了230Im／W，商品化量产和市场销售的LED 基础，引起了国内外光电子和照明产业界更广泛的关注。 光效已能达到851m／W甚至更高。LED的光效提高趋势是 随着外延生长和芯片制造技术的迅猛发展，LED的发光效 传统光源望尘莫及的。PhilipsLumileds公司基于目前技术 率得到了大幅提高，LED器件也从早期的指示型LED(恒流 条件和研发水平，在2008年提出未来LED驱动电流达2A时 20mA)发展到功率型LED(恒流350mA，700mA或更高)。但LED光 的相关效率情况。如表l所示。 源要全面取代传统照明光源仍存在许多问题。据统计，2010 Itlu量DI尺寸lm柚xlmm；lf_2A) 年LED照明产品占全国照明市场比莺很少，产值仅占3．2％。本 文试对LED光源研发中的壁垒加以探讨，从发光效率、散热、 驱动电路、非成像光学设计、成本和标准方面进行剖析，以 求与同仁们讨论和获得指正。 ：：：： 【曼2 ‘堡2 ‘堡2 1型2 1 技术壁垒 表1中显示荧光粉转换效率在未来将达到2401m／Opti- 1．1发光效率 cal Watt。对于冷白光LED而言，这是一个可以达到的数值 众所周知，单颗LED的光通量有限，其解决途径之一是 水平；但对暖白光LED(CcT约在3000K)，此效率将会有10％_ 提高其发光效率。一般而言，提高LED发光效率的途径主要 20％的减少。所以，通过研究更优质的LED荧光粉来提高LED 是改进其内量子效率和外量子效率。内量子效率(Internal 的光效，将具有重要的意义。 quantum efficiency)是每秒辐射复合产生的光子数与在有 1．2散热问题 源区内每秒复合的电子空穴对总数之比；外量子效率 供给LED工作的电能70％以上会转换成热量，与传统光 (External q