量位置和时间信号的前端电路.PDF

维普资讯 第 li卷 第 5期 核 电子学与探测技术 Vo1．1iNo．5 Ig91年 9月 NuclearElectronics ＆ DetectionTechnology Sept．1g91 一 个从丝室中同时获取带电粒子能 量、位置和时间信号的前端电路 梅文 虞孝麒 叶邦角 范扬眉 (中国科技大学) 本文介绍了一十研究中子、带电粒子反应的实验装置中，低气压丝室信号获取 的前 婧 电路。 该电路系统能同时获取粒子沉积的能量、位置和时间信息。系统经过丁初步的设计箭作阶段．现己 安在装置上进行了实验，拾出丁用谈电路系统分辨质子， 粒子的实验结果。 羌■调：探副器，多丝室，按电子学，读出 电路 一 、 前 言 实验采用的探 器是圆柱型低气压多鱼正比室配合中心双晶体CsI目烁探铡器组成的 多路望远镜系统 。整个装置可以分成探铡器和电子学系统两部分。探测器部分如图l 所示。图中靶材料呈半 圆形紧贴室内壁，另一半用来测实验本底。室内腔周围360度范围 b 图l 探鲠I器装置 圈 sifilmswhich w．ereamorphizedby Siion implantation are investigated by usinganimprovedDLTS (deepleveltransientspectroscopy)method—CDLTS method．Therestl1tsshow thatthepropertiesofgrain-bOundary statesin recrystal1ized polysilicon filmssharply dependson thecrystal1ographie structure ofthefilms． · (KeyWords,Deep leveltransientspectroscopy，Grain-boundarystates， Po,ly．siliconfilms Siliconionimplantatio日曼鲥 r~~r~zsta[1iz焉ti口)一 嚣 Q 维普资讯 内均匀分布着32根正比丝，中子入射刘半圆形靶材料上，反应后出射的带电粒子 (主要是 P，a)通过正比丝层，其中出射方 向台适的带 电粒子将到达 中心探铡器并沉积在 闪 烁 体 中。粒子除了在丝上损失少部分能量外，其余全部损失在 中心探测器中。通过中心探测器 与正比丝的符合，我们可以确定反应事例，记录粒子的各个参数 。 二、电子学系统 电子学系统包括电子学读 出电路 (前端 电路)和CAMAC模数变换 电路。电路 系 统 的结构如图2所示。该 电路系统能从实验 中获得五个参数，粒子穿过丝层时损失在丝 室 中 的能量△ ；粒子穿过丝室的位置信号ADDR；带 电粒子 的能量 +AE；脉冲形状甄别参 数PSD和粒子穿过正比丝层到达中心探测器的飞行时间。系统的同步靠快符合 电路实现a 闺z 电路系统的结构 主触发信号由慢符合SC给出。 由图2可见，丝信号获取 电路按要求同时给出了带 电粒子穿过丝室时损失 的能量AE, 反应出射粒子的方位信号ADDR和粒子薤过丝室的时间三个信号。 带 电粒子穿过丝室时，l在某丝上产生AE信号，其信号经过前置放大器PA，电压放大 器VA，相l加放大器SA1(四路相加)和sA2(八路相加)，最后经主放大器A成形 输