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量位置和时间信号的前端电路
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第 li卷 第 5期 核 电子学与探测技术 Vo1.1iNo.5
Ig91年 9月 NuclearElectronics & DetectionTechnology Sept.1g91
一 个从丝室中同时获取带电粒子能
量、位置和时间信号的前端电路
梅文 虞孝麒 叶邦角 范扬眉
(中国科技大学)
本文介绍了一十研究中子、带电粒子反应的实验装置中,低气压丝室信号获取 的前 婧 电路。
该电路系统能同时获取粒子沉积的能量、位置和时间信息。系统经过丁初步的设计箭作阶段.现己
安在装置上进行了实验,拾出丁用谈电路系统分辨质子, 粒子的实验结果。
羌■调:探副器,多丝室,按电子学,读出 电路
一
、 前 言
实验采用的探 器是圆柱型低气压多鱼正比室配合中心双晶体CsI目烁探铡器组成的
多路望远镜系统 。整个装置可以分成探铡器和电子学系统两部分。探测器部分如图l
所示。图中靶材料呈半 圆形紧贴室内壁,另一半用来测实验本底。室内腔周围360度范围
b
图l 探鲠I器装置 圈
sifilmswhich w.ereamorphizedby Siion implantation are investigated by
usinganimprovedDLTS (deepleveltransientspectroscopy)method—CDLTS
method.Therestl1tsshow thatthepropertiesofgrain-bOundary statesin
recrystal1ized polysilicon filmssharply dependson thecrystal1ographie
structure ofthefilms. ·
(KeyWords,Deep leveltransientspectroscopy,Grain-boundarystates,
Po,ly.siliconfilms Siliconionimplantatio日曼鲥 r~~r~zsta[1iz焉ti口)一
嚣 Q
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内均匀分布着32根正比丝,中子入射刘半圆形靶材料上,反应后出射的带电粒子 (主要是
P,a)通过正比丝层,其中出射方 向台适的带 电粒子将到达 中心探铡器并沉积在 闪 烁 体
中。粒子除了在丝上损失少部分能量外,其余全部损失在 中心探测器中。通过中心探测器
与正比丝的符合,我们可以确定反应事例,记录粒子的各个参数 。
二、电子学系统
电子学系统包括电子学读 出电路 (前端 电路)和CAMAC模数变换 电路。电路 系 统
的结构如图2所示。该 电路系统能从实验 中获得五个参数,粒子穿过丝层时损失在丝 室 中
的能量△ ;粒子穿过丝室的位置信号ADDR;带 电粒子 的能量 +AE;脉冲形状甄别参
数PSD和粒子穿过正比丝层到达中心探测器的飞行时间。系统的同步靠快符合 电路实现a
闺z 电路系统的结构
主触发信号由慢符合SC给出。
由图2可见,丝信号获取 电路按要求同时给出了带 电粒子穿过丝室时损失 的能量AE,
反应出射粒子的方位信号ADDR和粒子薤过丝室的时间三个信号。
带 电粒子穿过丝室时,l在某丝上产生AE信号,其信号经过前置放大器PA,电压放大
器VA,相l加放大器SA1(四路相加)和sA2(八路相加),最后经主放大器A成形 输
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