第二章 热平衡时的能带和载子浓度 1.pptVIP

Chapter 2 Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibriumn 熱平衡時的能帶及載子濃度 2.1 半導體材料 Insulator，Semiconductor，Conductor 半導體材料 ：導電率介於絕緣體與導體之間 導電率易受溫度、照光、磁場及微量雜質的影響，所以半導體在電子應用上很重要。 ? 10-18～10-8S/cm 104～106S/cm 半導體材料分類 元素：矽（Si）、鍺（Ge） 化合物: 二元(binary)-例如GaAs，用於高速、光電元件。 三元(ternary)-例如AlxGa1-xAs，調整x的大小可改變材料的特性。 四元(quarternary)-例如AlxGa1-xAsySb1-y 2.2 基本晶體結構 固態物質由其原子排列方式可分為： 非晶形(amorphous)、多晶(polycrystalline)、單晶(crystalline) 2.2.1 單位晶包（unit cell) 是晶體中可用以複製整個晶體的一小塊體積 2D 3D 晶格（lattice): 晶體中作週期性排列的原子 如何表示晶體？ 畫圖法 數學式 a b c m、n、p為正整數 常見的正立方體晶體結構 簡單立方(SC) 如釙（Po） 體心立方(BCC) 如鈉、鎢 面心立方(FCC) 如鋁、銅、鉑 最鄰近原子數 最接近原子距離 每一單位晶包所含原子數 堆積密度 SC 6 a 1/8 x 1 = 1 52.4% BCC 8 1/8 x 8 +1= 2 68% FCC 12 1/8 x 8+ 1/2 x6 = 4 74% 最鄰近距離 最鄰近距離 = 面對角線的一半 最鄰近距離=體對角線的一半 2.2.2 鑽石結構：元素半導體的晶體結構 可看成兩個fcc結構 俯視圖 堆積密度為34% 閃鋅礦結構：如GaAs，類似鑽石結構。 可看成一個fcc結構原子為As，另一個往體對角線移動1/4的fcc結構原子為Ga。 最鄰近原子距離 1 2 3 4 鑽石結構可看成(b)疊在(a)上 2.2.3 晶面以及米勒指數 ABCD面：有4個原子 ACEF面：有5個原子 比較兩個面，原子密度不同 不同平面之晶體性質不同 晶面以及米勒指數（續） 米勒指數為描述晶面的方法 找出晶面在x軸y軸 z軸的截距（以晶格常數a為單位） 將截距取倒數，再求出最小簡單整數比h:k:l 則(hkl)即為此平面的米勒指數 例：截距為1，3，2 倒數為1，1/3，1/2 倒數比 6：2：3 此平面之米勒指數為 （623） 立方體結構中重要的平面 米勒指數其他相關表示 (hkl) 表示x截距為負 {hkl} 表示一組對稱的對應平面，例如{100}表示(100)(010)(001)(100) (010)(001)六個面 [hkl] 表示晶面的方向，在立方晶體上，[hkl]正好垂直於(hkl)晶面。