全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率3.PDF

第 58 卷 第 2 期 2009 年 2 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 2 ,February ,2009 ( ) 10003290200958 02 095905 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . 全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底 提高发光二极管外量子效率 林 　瀚 　刘 　守 　张向苏 　刘宝林 　任雪畅 ( 厦门大学物理系 ,厦门　361005) (2008 年 5 月 9 日收到 ;2008 年 6 月 6 日收到修改稿) ( ) 　　为了提高 GaN 基发光二极管 LED 的外量子效率 ,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体. 衬底上的二维光子晶体 ( ) 结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体 ICP 干法刻蚀技术制作 , 然后采用金属氧化物化学气相沉积 ( ) ( ) μ MOCVD 技术在图形蓝宝石衬底 PSS 上生长 2 m 厚的 n 型 GaN 层 ,4 层量子阱和 200 nm 厚的p 型 GaN 层 ,形成 μ LED 结构. 衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构 ,晶格常数为 38 m ,刻蚀深度为 800 nm.LED 器件光强输出 测试结果显示 ,在 PSS 上制作的LED ( PSSLED) 的发光强度普遍高于蓝宝石平面衬底上的LED ,平均强度提高了 ( ) 100 %. 在 PSS 和蓝宝石平面衬底上 GaN 层的 0002 晶面采用 X 射线测得的衍射摇摆曲线显示 ,PSS 上的 GaN 晶体 质量并没有提高 ,表明 PSSLED 外量子效率显著提高的原因不是由于内量子效率的提高 ,而可能是由于二维光子 晶体产生的散射作用导致提取效率的提高所致. 关键词 : 全息 , 发光二极管 , 图形蓝宝石衬底 , 外量子效率 PACC : 4240M , 7860F , 7850 G 部分光在界面被反射回来 ,形成波导光被困在器件 1 引 言 内部 ,经过多次反射最终被半导体吸收 ,转化为热 能. 这不但造成了能量的大量损耗 ,而且 由于 L ED ( ) 经常工作在高温状态 ,使 L ED 的使用寿命缩短. 在 目前 ,发光二级管 L ED 由于其节能、环保 、长 寿命的特性引起了人们的广泛关注 ,是未来社会所 L ED 中制作二维光子晶体结构来提高 L ED 的外量 需要的新型照明光源. 其中 , GaN 基 L ED 作为蓝光 子效