基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取 - 激光与红外.PDF

第４３卷　 第９期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．９ 　 ２０１３年９月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，２０１３ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１３）０９１０５１０４ ·红外材料与器件 · 基于ＢＳＩＭ３的低温 ＭＯＳＦＥＴ模型及参数提取 邓旭光 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：器件模型作为工艺与设计之间的接口，对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文 介绍了ＢＳＩＭ３模型的原理，并完成了低温下（７７Ｋ）ＢＳＩＭ３模型的参数提取。同时探讨了使用 参数提取软件的具体工作步骤。 关键词：ＭＯＳＦＥＴ；ＢＳＩＭ３；参数提取 中图分类号：ＴＮ２１４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１３．０９．２０ ＬｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＭＯＳＦＥＴｍｏｄｅｌａｎｄｐａｒａｍｅｔｅｒ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｂａｓｅｄｏｎＢＳＩＭ３ ＤＥＮＧＸｕｇｕａｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＤｅｖｉｃｅｍｏｄｅｌａｓｉｎｔｅｒｆａｃｅｂｅｔｗｅｅｎＩＣｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｄｅｓｉｇｎａｒｅｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｆｏｒｅｎｓｕｒｉｎｇａｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌＩＣｄｅ ｓｉｇｎＴｈｅｔｈｅｏｒｙｏｆＢＳＩＭ３ｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ，ａｎｄｍｏｄｅｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓｕｎｄｅｒｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（７７Ｋ）ａｒｅｅｘｔｒａｃｔｅｄＭｅａｎ ｗｈｉｌｅ，ｔｈｅｄｅｔａｉｌｓｏｆｐａｒａｍｅｔｅｒｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｓｏｆｔｗａｒｅａｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄａｎｄｄｉｓｃｕｓｓｅｄ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＭＯＳＦＥＴ；ＢＳＩＭ３；ｐａｒａｍｅｔｅｒｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ １　引　言 ＭＯＳＦＥＴ的ＢＳＩＭ模型中，ＢＳＩＭ１模型是一个为 低温（７７Ｋ）ＭＯＳＦＥＴ参数提取工作主要是配合 １ ｍＭＯＳＦＥＴ技术而发展的模型，包含很多对短沟 μ 红外读出电路的设计而展开的，红外探测器工作在 道效应的更好理解，对沟道长度大于或等于 １ ｍ μ 低温（７７Ｋ）环境下，与之相耦合的硅读出电路也要 的器件的模拟结果非常准确。尽管 ＢＳＩＭ１模型为 工作在相同的低温（７７Ｋ）环境下。晶元代工厂只提 每个模型参数引进了几个适应参数来提高模型的尺 供常温下的ＭＯＳＦＥＴ模型及参数，不可能完全吻合 寸覆盖性，但ＢＳＩＭ１模型还是不能完全让人满意。 低温（７７Ｋ）下器件的真实工作特性，所以我们开展 ＢＳＩＭ２模型以ＢＳＩＭ１模型为基础在很多方面 了这项工作，以期在与代工厂的长期合作中，研制出 进行了改进，如模型的连续性、输出电导、亚阈值电 适合自身要求的读出电路。 流等。但是，ＢＳＩＭ２模型仍然不能用一组参数来模 器件模型作为工艺与设计之间的接口，用于大 拟大尺寸范围的器件。为了在所有器件尺寸范围内 规模集成电路的设计和仿真，本文以低温（７７Ｋ）环 获得准确的模拟结果，用户通常都需要提取几组甚 境为前提，选定的晶元代