详解电子陶瓷ch6.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 当晶界电阻RB＞＞晶粒电阻RG时，可用串联模型 设比容为C（单位面积的容量） 又设 为晶界厚度 为原材料（BaTiO3）的介电系数 ，又设晶粒直径为d，材料总厚度D 一般 ，则 晶界层电容器的视在（表现）介电系数 §6-4 半导体陶瓷电容器 将 代入得 设l=1μ，d=50μm，εb=1000（一般为2000～3000）得ε0=50000， 可见晶界层电容器视在系数很大。 §6-4 半导体陶瓷电容器 BL电容器的制备工艺： 与普通陶瓷电容器大致相同，差别仅在于晶界绝缘化工艺。 首先在BaTiO3或（Ba，Sr）TiO3中进行半导掺杂（Nb、Y、La、Dy），第一次烧结使其形成n型半导晶粒（n）。然后在瓷表面涂上高温下形成玻璃相的氧化物（Pb、Bi、B的氧化物），