去润湿图案化制备TIPS-并五苯有机薄膜晶体管.pdfVIP

第28卷第3期 液 晶 与 显 示 v。1．28，No．3 Chinese of and 2013年6月 Journal Jun．，2013 I。iquidCrystaIsDisplays 文章编号：1007—2780(2013)03一0338一06 去润湿图案化制备TIPS一并五苯有机薄膜晶体管 冯 翔1’2，林广庆1，张 俊1，李曼菲2，邱龙臻¨ (1．合肥工业大学光电技术研究院特种显示技术教育部重点实验室，特种显示技术国家工程实验室， 现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地，安徽合肥 230009，E—mail：fengxian91011@163．com 2．合肥工业大学化学工程学院，安徽合肥230009) 摘 要：利用润湿／去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIP孓并五苯有机半导体薄膜，制备了顶接 触有机薄膜晶体管(()TFTs)。金相显微镜观察发现，转速的选择对TIP孓并五苯薄膜结晶形貌的影响较大。 ooo～2ooo ooO 在1 r／min转速下制备的薄膜完整性好，结晶区域较大；而转速增加到3r／min后，难以获得 完整的薄膜且晶粒尺寸变小。电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应 ooo 迁移率，发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能。1 r／min转速下制备()TFT器件最大场效应迁移 率为5．16×101cm·V“·s_1’电流开关比为8×103。 关键词：有机薄膜晶体管；去润湿图案化；电性能 中图分类号：0753+．2文献标识码：A DoI：10．3788／YJYX0338 PatternedTIPS—Pentacene Wetting／Dewetting Thin—FilmTransistor Organic FENG unl，I。I J Man—fei2，QIU Xian91～，I。INGuang—qin91，ZHANG I。ong—zhenl’ z Educn￡ion，N让tionnlLnb t1．Ke，LnbofspecinDispkyTechnology，M抽islr，Of EngineeringofSpecinlDispznyTechnobgy， Nutton口lLnbAd眦nced Key of DtspkyTechnobgy．Acndem，of0pto—E}enronicTechnotog，， HP^iL肠而Pr^j，y，HP，0i230009，C^i”“，E_m“iZ：^ng丁妇”9101l@163．fom； 2．Schoolche竹“cnt 230009，ChinⅡ) of Engineering．HefeiUni‘Uersit，ofTechnology，Hefei thin—filmtransistorswas dewet—