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No．2
第27卷第2期 半 导 体 学 报 V01．27
2006年2月 CHINESEJoURNALoFSEMICONDUCToRS Feb．，2006
ofElectron in4H-SiCBuried-ChannelMOSFETs。
Study Mobility
Gao Yimen+，and
Jinxia，Zhang ZhangYuming
the Materialsand
Wide SemiconductorDevices，
(KeyLaboratoryof MinistryD，Education，orBand
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