GaN基多量子阱蓝色发光二极管的实验与理论分析 Experimental and Theoretical Analysis on GaN Multiple Quantum Well Blue LED.pdfVIP

中国照明电器 lO CHINALIGHT＆LIGHTING 2010年第1期 GaN基多量子阱蓝色发光二极管的实验与理论分析 孥为军 (国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家灯具质量监督检验中心、 上海时代之光照明电器检测有限公司，上海 200233) 摘要 本研究采用量子点模型对蓝色InGaN／GaN多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察，并和实 验测量结果进行了比对。结果发现，利用量子点模型计算出的自发辐射发光峰位与实验得出的电致 发光的峰位很好地吻合，表明了在多量子阱发光二极管中由于InN和GaN相分离而形成的富In类量 子点结构，主导着InGaN基发光二极管发光波长，体现了InGaN基发光二极管量子点发光的本质。 同时。基于量子点模型的理论，本文讨论了以合适组分的四元AIInGaN材料取代传统的GaN材料作 为量子阱垒层对发光二极管发光特性的影响。 关