表面注入D-RESURF器件耐压模型 Breakdown Voltage Model for D-RESURF Devices with Surface Implantation.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.21万字
约 4页
2017-08-03 发布于上海
举报
版权申诉

表面注入D-RESURF器件耐压模型 Breakdown Voltage Model for D-RESURF Devices with Surface Implantation.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

徐材删料灿与眦器腻件璐 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．05．003 表面注入D—RESURF器件耐压模型李琦，王卫东，张杨，张法碧 (桂林电子科技大学信息与通信学院，广西桂林541004) 在衬底纵向电场和P。区附加电场的影响下，漂移区电荷共享效应增强，优化漂移区掺杂浓度增大，器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响，获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在满足最优表面电场和完全耗尽条件下，导出吻合较好的二维RESuRF判据。在理论的指导下，成功研制出900V的D-RESuRF高压器件。关键词：表面注入；双重降低表面电场；模型；击穿电压；导通电阻中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2011)05—0348—04 BreakdownModelforD-RESURFDeViceswith Voltage Surface Implantation Li Fabi Qi，WangWeidong，ZhangYang，Zhang (sc_IlDDz o，，咖m耐如n口利cD嗍比疵口I函n眈酊唧^ng，Gl‘诫玮‰洒m毋矿肌埘啪记‰^，lD如gy，鼠以访541004，吼l阳) Abstract：An modelforthebreakdownofdoubleRESURF analytieal Voltage (D-RESURF) deViceswithasurfhce was The concentrationindrift implantedP—topregionpresented．optimaldoping of wasincreasedandtheon-resistancewasdecreasedelectricfieldmodulationthe region region． by Ph An The ofb阳akdown onstmcture ofthedevicewascalculated．ef-fectiVe dependence voltage parameters to the on-resistancewasalso A2一D thetrade-offbetweenbreakdownand wayimproVe voltage pmposed． RESURF was andall werewellverifiedsimulationresultsand conditionobtained results analytical by the ofthemodel here．A900VdoubleRESURF previousexperimentaldata，showingvalidity present