场区加固工艺技术研究 Research on Process of Radiation Harden Field.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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场区加固工艺技术研究 Research on Process of Radiation Harden Field.pdf

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工艺技术与材料场区加固工艺技术研究郭常厚，赵晓辉 (东北微电子研究所，沈阳110032) 摘要：通过对应用在空间辐射环境下的CMOSLSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CM0sLSI的Si02中正电荷的累积和si02一Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。si02中正电荷的累积与其厚度成正比。在cMOs 电路中，起M0sFET隔离作用的场区siO：层厚度最大，是加固的重点之一。主要介绍一种场区加态。在电离辐射效应试验中，使CMOS电路的漏电电流在辐照前后的变化量降低了1—2个量级，为进一步提高电路的抗辐射性能提供了一种可供选择的工艺加固方法。关键词：电离辐射效应；互补型金属氧化物半导体大规模集成电路；场区；复合介质中图分类号：TN929文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2007)06．505．03 IksearchOnPrOcessofRadiationHardenField GUO Xiao—hui Chang-hou，ZHAO 110032， (Ⅳ0以E缸￡胁croek打Dn记胁s唧℃_Il饥s￡如Ⅱ招，s7增v册g饥i眦) t11eionizationradiationeffectofthe scale ci删it)， Abs咖ct：By肋alyzing CMOS嘲(1argejnte舯ted the the ofthehardenedcirc：uitwerefound．Intheionizationradiation circuit thought efkct， technology肌d functionwasaf亿cted the ofthe whichwascausedthe hea、rilyby ch肌ge parameter by positiVecharge accu舢1ationin andthe of interf如estate．鸭e accu舢lationin was Si02 chaIlgesi02一Si positiVecharge Si02 In fieldwherethethicknessi8the the diI_ectI．adiotothethickne8s．COMScir℃uit，the highe8t，supplying of i8theHlost mainintroducesthe ofradiationhaIdened use i80l砒ion， import肌t．This耐iPle technology the insulationthethicknessoffieldoxidei8nliniaturized si02一Si3N0compound layer， field．7Ihou曲producing andtheinterf如estateis Intheionizationradiationef艳ct the ofleakcurrentis change． expe