采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷 Utilization of Hot DI Water for Eliminating Time-Dependent Haze.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷 Utilization of Hot DI Water for Eliminating Time-Dependent Haze.pdf

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LolU皿皿j，，· 巍慧捻咿leC上lrmIo蟹y doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．09．007 采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷熊诚雷，齐旭东 (麦斯克电子材料有限公司，河南洛阳471009) 摘要：清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用，其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响，温度最大波动可以达到10℃以上。阐述了这种波动对清洗后si片表面化学残留物浓度造成的影响，当冬季水温出现下降，si片表面化学残留浓度上升，导致时间雾的出现。提出使用热纯水漂洗技术，通过纯水加热器对最终清洗机纯水溢流槽纯水进行加热，使纯水温度保持在稳定水平，在生产中可有效地消除时间雾缺陷并且将si片表面化学残留浓度控制在良好的水平。关键词：si抛光片；IPA干燥器；时间雾；热纯水；全反射x射线荧光法中图分类号：TN305．2 文献标识码：A UtilizationofHotDIWaterfor Haze EliminatingTime—Dependent XiongChenglei，QiXudong 471009，mi船) (肺此踟￡ro凡面^忆比血b，上尉．，厶。弦凡g Wet are D1 Abstract： to wafer瑚nuracture．water processstepswjdelyapP】jedpoljsbed temperature can asmuchas onthe10cationandseasons．7rheinnuenceof inwateron Vary by 10℃depending Variability levelofwafer residualwas colderD1 in耐nterresult8in the surf-acecheIllical described．Thewater hjgher leVelofwafersurfacechemicalresidualwhich causethe 卟e haze(TDH)． may time—dependent experiment results TDH showthat iseliminated thewatertoa desiredconstant andthewafer byheating temperature surfaucechemicalresidualc卸becontrolledata level． good D1 words：siliconwafer；IPA haze；hot