采用新的T型发射极技术的自对准InPGaInAs单异质结双极晶体管的性能 Performance of a Self-Aligned InPGaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter.pdfVIP

下载本文档

3
0
约2.46万字
约 4页
2017-08-03 发布于上海
举报
版权申诉

采用新的T型发射极技术的自对准InPGaInAs单异质结双极晶体管的性能 Performance of a Self-Aligned InPGaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

27 第27卷第3期半导体学报 VoI No．3 2006年3月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS Mar，2006 Performanceofa SHBT InP／GaInAs Self-Aligned withaNovel Emitter T-Shaped Su Xunchunl，Liu Shubin91”，Liu Xinyul，YuJinyon91 Runmeil，XuAnhuai2，andQi Wang Min92 (1InstituteofMicroelectronics，Chinese 100029，China) AcademyofSciences，BeOing (2 200050．China) ShanghailnstituteofMicrosysteraandInformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai Ahetraet：A InP／GalnAs transistor(HBT)is anovel self-aligned singleheterojunctionbipolar investigated using emitter．A emitter all wet etchedundercut，and are T-shaped U—shaped layout，selectiveetching，laterally air-bridge inthis device．whichhasa emitterarea．demonstratesacommon-emit- applied process．The 2btm×12tumU-shaped terDCcurrentof offset of0 knee of0 an breakdownvolt． 170，an 2V，a 5V，and gain voltage voltage open-base ofover2V．TheHBTexhibitsmicrowave withacurrentcutoff of85GHz age good performance gain frequency andama对mumoscnlation of72GHzTheseresultsindicatethattheseInP／hGaAsSHBTsaresuitable frequency for