电子倍增CCD倍增要件研究 - 光子学报.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ３８ １１ 　 　 　 Ｖｏｌ．３８Ｎｏ．１１ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２００９ １１ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ２００９ 电子倍增 ＣＣＤ倍增要件研究 张灿林，陈钱，尹丽菊 （南京理工大学 电子信息工程与光电技术学院，南京 ２１００９４） 摘 要：讨论了信号载流子倍增寄存器（ ）结构及其工作原理，在此基础上建立了电子倍增 ＣＣＭ 　 的碰撞电离模型 通过对 倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件：适中的倍增级 ＣＣＤ ． ＣＣＭ 电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离 通过建模研究均匀场强中增 ． 益情况表明增益因子为０．０１时对应的偏置电压接近 ＥＭＣＣＤ所用倍增电压． 关键词： ；电子倍增；片上增益；静态感应器件 ＥＭＣＣＤ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ２２３ Ａ １００４４２１３２００９１１２７７１５ 　　　　 　　　　 ０ 引言 １ 犈犕犆犆犇的结构及工作原理 　 　 为了提高传统 ＣＣＤ的信噪比，通常采用带有经 １．１ 犈犕犆犆犇的结构 　 过改良的读出放大器降噪，或是在 ＣＣＤ前端加载像 现在使用全固态电子倍增技术的 ＣＣＤ生产厂 增强器使信号在到达 之前得到放大 虽然这两 家主要有英国的 公司和美国的 公司，他们 ＣＣＤ ． Ｅ２Ｖ ＴＩ 种方法都有效地减少了读出噪音、提高信噪比，但是 生产的ＥＭＣＣＤ基本结构与传统的帧转移 ＣＣＤ大 各有缺陷 前者是以降低读出速度为代价，只能应用 致相同，主要包括成像区、存储区和读出放大器三部 ． 在对速度要求不高的系统中 后者 技术比较 分， 在读出寄存器和读出放大器之间加入 ． ＩＣＣＤ ＥＭＣＣＤ 成熟，在高速读出的情况下也能得到高质量的图像， 了数百个增益寄存器，信号电荷在水平转移过程中 但 ＣＣＤ芯片前端的像增强器使整个系统结构复杂 实现片上增益．ＥＭＣＣＤ的基本结构如图１． ［］ 化，成本升高，容易损坏 １ ． 随着 ＣＣＤ的不断发展，本世纪初电子倍增 （ ， ）问世，其 ＣＣＤＥｌｅｃｔｒｏｎＭｕｌｔｉｌｉｎ ＣＣＤＥＭＣＣＤ ｐｙ ｇ ［］ ２ 自带的倍增寄存器 ，使得微小信号在转移过程中 实现片上增益，从而克服读出放大器的噪音低限，所 以此类 ＣＣＤ在不需要任何附