线性电光效应及其在量子阱超晶格结构中的应用.PDF

线性电光效应及其在量子阱、超晶格结构中的应用 电光效应又称电致双折射效应，指的是在外加电场的作用下，材料中出现了双折射，或 者材料中本身存在的双折射现象随着外场作用而发生了性质改变，是一种人工双折射现象。 电光效应一般可分为两种：一是直接电光效应，它是一种非线性极化效应，电场直接引起介 质介电常数的变化，如克尔效应、普克尔斯效应等；二是间接电光效应，它是由于电场改变 了介质的吸收系数，从而引起介质介电常数间接变化的现象，如等离子体色散效应、弗朗兹 凯尔迪释（Franz- Keldysh）效应等。 在不具有反演对称中心的晶体中，晶体折射率的变化与电场强度的一次方成正比，这一 现象称为线性电光效应，也称为普克尔斯效应，其实质是一种二阶的非线性光学效应。线性 电光效应(LEO)的数学表达式为: ,其中B 为介电 隔离率,是一个二阶张量,E 为介电常数,n 为折射率,C 为线性电光系数,是一个三阶张量,其 i=1~6,j=1~3。 1983 年,M. K. Gurnick 等首次提出不对称AlxGa1-xAs/GaAs 量子阱结构的非线性比 GaAs 体材料的高10~100 倍,从此掀起了量子阱、超晶格结构LEO 效应的研究热潮。大量研 究表明,这种量子阱、超晶格结构的LEO 效应源自于所用材料的体材料性质,外加电场和不对 称界面等三个方面。围绕着量子阱、超晶格结构如何改变体材料的反演对称性和增强LEO 效应,发展出了许多理论和模型。O. Krebs 等采用了一种HBF 模型来解释阱区和势垒层不具 有相同原子的I型量子阱(NCAOQWs)的光学各向异性,这里的哈密顿函数HBF 与经典EFT 中的 H0 相比差别在于前者考虑了界面处的化学键结构,并且二者之间的差别很小,可用微扰DH 表 示。他们通过这种微扰HBF 模型得到了k=0 处轻重空穴间的耦合矩阵元,很好的解释了由不 对称界面引起的光学各向异性。GBC 理论和HBF 模型都与紧束缚计算符合的相当好。Bradley A. Foreman 认为O.Krebs 等的解释虽然找到了引起量子阱光学各向异性的关键因素是不对 称界面打破了 原来体材料所具有的反演对称性,但他们对这种光学各向异性的大小所进行的数值预测 并不可靠。他认为应该考虑到包络函数不是一个独立的整体,而是一个起源于微观波函数的 量,并同样地用LK 式对HBF 模型提出了修正。 随着大规模集成电路技术的发展,人们越来越希望在全光或者电光器件中使用硅基材料。 但硅体材料属于Oh 点群,不具有二阶光学非线性,这在很大程度上限制了硅在光开关,光调 制器等诸多器件上的应用。近年来,量子阱异质结构的发展为硅基材料在光学非线性中的应 用开拓出了新的道路。对于硅基体系来讲,非零的二阶非线性仅能由不对称界面产生。[001] 取向的Si/SiGe 量子阱超晶格属于D2d 点群,是单轴各向同性的。像很多的NCA-QWs 那样, 如果能设计出一种具有C2v 点群对称性的硅基量子阱或者超晶格,则这种硅基结构可以因不 对称界面而产生双轴各向异性,它的二阶非线性就不再为零。 Rong Yu 等对Si/Si1-xGex/Si1-yGey 量子阱的LEO 效应进行了分析,提出了这样一种硅 基不对称II 型量子阱Si/Si1-xGex/Si1-yGey(x=0.25, y=0.5)结构,并以此为周期长成超晶 格。在这种微结构中缺乏反演对称性,他们在键结构基础上用经典紧束缚方法对该结构的吸 收谱进行了评价,表明这种结构会产生平面内光学各向异性。而且在DC 电场的作用下,这种 新颖结构具有较大数量级的Pockels 系数。 量子阱、超晶格结构是能带工程的产物,设计成这些结构的材料与相应的体材料相比所 具有的线性电光效应(LEO)提高了几个数量级。围绕着这一研究课题,人们已在例如:CA-QWsI 型量子阱、NCA-QWsI 型量子阱以及II 型量子阱的LEO 研究上取得了显著成果。一方面,发 展了许多解释量子阱、超晶格结构LEO 效应的理论和模型,如:EFT理论,GBC 理论,HBF 模型 等;另一方面,在闪锌矿结构的化合物半导体如GaAs基量子阱的LEO 效应,特别是平面内光学 各向异性的实验研究上,得到了大量令人感兴趣的结果。然而,对硅基量子阱、超晶格LEO 的研究却非常有限,尽管有人从理论上分析指出这种结构的LEO 效应也比较显著,但由于实 验上的难度,还没有人真正做出性能优异的实用材料。硅是微电子领域的主体材料