1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 Design of 1.9 GHz low-voltage and low-power CMOS radio-frequency low-noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 Design of 1.9 GHz low-voltage and low-power CMOS radio-frequency low-noise amplifier.pdf

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■—隧删型幽旦坐塑型型堡 1．9GHz 低电压低功耗 CMOS 射频低噪声放大器的设计木周建明，陈向东，兰萍，谢睿，徐洪波 (西南交通大学信息科学与技术学院电路与系统研究所，四JIi成都610031) GHz 摘要：针对1．9 PHS和DECT无线接入系统的应用，提出了一种可工作于0．9V低电压的 CMOS射频低噪声放大器，并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析。该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器，利用晶体管线性补偿技术，实现了低压低功耗下的高线性度。采用TSMC CMOS工艺模型设计与验证。 O．18斗m 关键词：低电压；低功耗；低噪声放大器；噪声系数；线性度中图分类号：TN722．25 文献标识码：A of1．9GHz and Design low—voltage CMOS low·—-noise low-powerradio-frequencyamplifier ZHOU Jian Bo Ming，CHEN Rui，XU XiangDong，LANPing，XIE Hong Institute ofInformation (Research CircuitsSystems，CollegeScienceTechnology， Southwest JiaotongUniversity，Chengdu610031，China) CMOSlow—noise whichcan at0．9V for Abstract：A 1．9GHzwirelessac· radio—frequency amplifier operate supplyvoltages cess ofPHSandDECT is anditscircuit and arealso structure，noise system applicationsproposed linearityanalysis totheconventionalfoldedlownoise circuitisbasedonfoldedcascodestructurewhichuses Contrary amplifier．The stage nonlinear to realize under and is realizedTSMC compensationtechnology highlinearity tow-voltagelow-power．Thedesign by CMOS 0．18仙m technology． Keywords：low-vohage；low-power；low-noiseamplifier；noisefigure；linearity 随着无线通信技术的蓬勃发展和广泛应用，无线终