GaAs单片二极管双平衡混频器 A GaAs Monolithic Diode Double-balanced Mixer.pdfVIP

下载本文档

40
0
约9.87千字
约 3页
2017-08-03 发布于上海
举报
版权申诉

GaAs单片二极管双平衡混频器 A GaAs Monolithic Diode Double-balanced Mixer.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第10卷，第9期电子与封装总第89期 V01．10．No．9 2们0年9月 ELECTRONICSPACKAGmG 电路设计 GaAs单片二极管双平衡混频器陈坤z，彭龙新1一，李建平z (1．单片集成电路与模块国家重点实验室，南京210016；2．南京电子器件研究所，南京210016) 摘要：采用0．25“m的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡 triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后，再与环形二极管组成整体电路，并对整体电路进行了优化。最后对版图进行EM仿真，并稍作调整以改善EM仿真结果。当本振功率在13dBm时，别为30dB和35dB，LO端1：7和RF端口驻波分别小于2和3．5，实测结果与仿真结果基本一致。关键词：双平衡混频器；环形二极管；巴伦；微波单片集成电路；转换损耗中图分类号：TN773．2 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2010)09．003l一03 AGaAsMonolithicDiodeDouble-balancedM奴er CHEN Kun2，PENGLong·xinl2,LI Jian-ping。2 Circuitand 21001 (1．NaffonalKeyLaboratoryofMonolithicIntegrated Modules，Nanjing6，China； ElectronicDevices 21 0016，Ch／na) 2．Nanjing Institution，Nanjing Abstract：Aform 0．25mGaAs onthe double—balanced ring mixer(DBM)isdesignedbyusingu process．Based RF characteristic differencebetweenbalunandLObahnis andthenthetwo DBM，the ofring-diode proposed balunsaleconstructedMarchandbalunandtriformerbalun wholecircuitisformed byusing respectively．The and afterthe ofthetwobalunsoverthe the ismadeand layout optimizedoptimization bandwith．Finally simulatedEMtools．Some iSexecutedonthe tO the measured by adjustment layoutimproveperformances．The 1