试验六太阳电池伏-安特性的测量.PDF

太陽電池光伏特性的測量實驗 太陽電 池 （Solar Cells） ，也稱 為 光伏電 池 ，是 將太陽 光源 接轉 換成電能的 元件 ．經由 這種 元件 封裝成太陽電 池模 組 ，再 按需求將一塊 以上的 模 組組合 成一定功率的 太陽電 池陣 列 ，再 經連 接蓄電 池 、測量 控制裝置及 流-交流變 換裝置 等 ，即 構 成太陽電 池發電 系統 ， 此系統具有不需外部 供應能 源 、維護簡單 壽、命 長可、任意 組合 功率大小 、無噪 音 、無污染 等優 點 ．光伏 效應早在 1839 年已 經被 法國 物理 學家 Becquerel 發 現 ，１９５４年世界 上第 一 塊矽 半導體 太陽電 池 才在 美國貝 拉實驗 室出現 ．經過 50 多年來的 努力 ，再 加上 人類 對再 生能 源的重視 ，太陽電 池的研 究 與產業化已 有俱體的 成就 ．目前 ，太陽電 池已 成為 太空衛 星的 基本電 源和地球上無電或 缺電 地區及 些特殊領域 如通信設 備 、氣象台 站 、航標燈 等之重 要電 源 ．而且隨 著 太陽電 池 材料及 製造技術的創新和 製造 成本的 不斷降 低 ，太陽能 光伏發 電 將逐步地取代常規發電 ．近年來 ，在德國 和日 本等國 家 ，其太陽能 光伏發電已 進 入城市 電 力系統 ．世界各國 對於太陽能 光伏發電 技術 十分重視 ，將它列為可再 生能 源開發 利用的 首位 ．因 此 ，太陽能 光伏發電可 望成為 21 世紀的重要新能 源 ． 【實驗 目的】 1 ．了解 太陽電 池的 構造 與工作原理 ， 2 ．測量 太陽 光譜 及輻 射能量 3 ．觀 察半導體 材料能帶溝 (Band Gap)對光伏 效率的影響 4 ．測量 太陽電 池之二極體 特性曲線及計算 ”dark saturation current” 5 ．測量 太陽電 池之 光譜 響應 (spectral response)及計算量 子效率 6 ．測量 太陽電 池的 I-V 特性曲線. 7 ．測量 太陽電 池之 效率及計算寄 生電 阻 8 ．觀 察溫度 、太陽 光源強度對太陽電 池之影響 。 【實驗原理】 1 ． 圖1 矽晶 太陽電池的架構 示意 構 示意 如 1所 示．結晶體矽 太陽電 池 以矽 半導體 材料製成大面積 pn 接面 元件 工作 ． 一般採用 n+/p同質 接面 架構 ，即 在 約10 cm×10 cm面積的 p型矽 片 （厚度 約200~500 μm）上用 擴散 法製作 出一層很 薄 （厚度 1μm）的 經過重攙雜的 n 型層 ，然後在 n型 層 上面 製作 金屬格線 ，作為正面 接觸電極 ．在整個背面也製 作 金屬膜 ，作為背面歐 姆 接觸電極 ．這樣就 形成 了結晶體矽 太陽電池 ．另外為 了減 少光的 反射損失 ，一般會在 上下表面作 粗糙化 ，並整個 表面 上再覆 蓋一層 抗反射膜 ． 2 ．光伏 效應 當 太陽 光入射 太陽電 池內部時 ，只要 入射 光子的能量 大於半導體 材料的能 帶溝　Eg ，則會在 p 層或 n 層 其光子被吸 收處產生電 子-電 洞對 ．在 n 層或 p層 離p-n 接面 所 產生的電 子電 泂對 ，會因 擴散 而自由 移動 ，這些載 子大部 份會重新結合而 消失 ，只有 少 部 份 產生在距離電荷 空乏區小 於少數載 子的 擴散長度之載 子有 機會擴散到電荷 空乏區 ，進 而被 此區 之內建電 場驅動 推向另 一區域 成為 主要載 子 ，亦即 在 n型半導體區 之電 洞擴散 到電 荷 空乏區 ，在內建電 場推動 下 ，跨 越pn接面 到p(n)型半導體區 成為 主要載 子因。此如果 太陽 電 池外電路 處於開路 狀態 ，那光照 產生之電 子和電 泂會 分別累積在 n 型及 p型半導體區 ，因 而產生一個電位 差．這 一現象稱 為 光伏 效應 （Photovoltaic Effect, 縮寫為PV） ． 2 ．太陽電 池的 參數 太陽電池的工作原理是基於光伏效應．當 光照射太陽電池時 ，將產生一個由 n 區 到p 區的 光伏電 流I而由 於太陽電 池 pn 二極體的 特性 ，同時也 存在順向