锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟-强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２５ ９ Ｖｏｌ．２５ Ｎｏ．９ 　 　 年 月 ， ２０１３ ９ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｓｅ． ２０１３ 　 ｐ 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１３０９２４３３０６ 　 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 ，， ，， ，， ， ， １２４ １２３ １２４ １２ １２ 张晋新 ， 郭红霞 ， 文 林 ， 郭 旗 ， 崔江维 ， 　 　 　 　 　 　 ，， ，， ，， ５ ３ １２４ １２４ １２４ 范 雪 ， 肖 尧 ， 席善斌 ， 王 信 ， 邓 伟 　 　 　 　 　 　 　 　 （ 中国科学院 新疆理化技术研究所，乌鲁木齐 ； 新疆电子信息材料与器件重点实验室，乌鲁木齐 ； １． ８３００１１ ２． ８３００１１ 　 西北核技术研究所，西安 ； 中国科学院大学，北京 ； ３． ７１００２４ ４． １０００４９ 　 ５．电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 ６１００５４） 摘 要： 对国产锗硅异质结双极晶体管（ ）进行了单粒子效应激光微束辐照试验，观测 ＳｉＧｅＨＢＴ ＳｉＧｅ 　　 　 　 ＨＢＴ单粒子效应的敏感区域，测试不同外加电压和不同激光能量下 ＳｉＧｅＨＢＴ集电极瞬变电流和电荷收集情 况，并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明：国产 ＳｉＧｅＨＢＴ位于集电极／衬底结内的区域对单 粒子效应敏感，波长为１０６４ｎｍ的激光在能量约为１．５ｎＪ时诱发ＳｉＧｅＨＢＴ单粒子效应，引起电流瞬变。入射 激光能量增强，电流脉冲增大，电荷收集量增加；外加电压增大，电流脉冲的波峰增大； 的单粒子效 ＳｉＧｅＨＢＴ 应与外加电压大小和入射激光能量都相关，电压主要影响瞬变电流的峰值，而电荷收集量主要依赖于入射激光 能量。