低温储运之热传与热物理-台湾区冷冻空调工程工业同业公会.PDF

中華水電冷凍空調設備資訊網 .tw 低溫儲運之熱傳與熱物理(2) 三、低溫下固體之導熱 固體導熱存在兩種機理，即傳導電子(亦稱電子氣)之遷移與晶格之熱振動(又稱聲子導熱) 。不 同材料在不同溫度下，這兩種機理對導熱之貢獻是不相同的。此處擬就低溫工程中常用之一些金 屬、合金、非金屬與隔熱材料中的導熱情況進行分析與討論。 1.金屬之導熱 對於非合金之金屬導體(主要是指純金屬) ，其導熱幾乎全部由傳導電子之遷移來承擔。根據 氣體動力學之基本理論可以推導出傳導電子之導熱係數 λ 為 e λ c l v / 3 (23) e v,e e e 式中 v 為傳導電子之平均速度，l 為傳導電子之平均自由程，c 為傳導電子之定容比熱。 e e v , e 由分析可知，在低溫下傳導電子之平均速度 ve 與溫度 T 無關，而傳導電子之定容比熱 cv , e 正比於溫度 T 。因此，只要根據傳導電子之平均自由程l 就能計算其 λ 值。 e e 傳導電子之平均自由程 le 主要受散射所決定，而決定散射主要因素有二，其一是由聲子引起 之電子散射；另一是由晶格中之雜質(或晶格缺陷等)所引起之電子散射。這兩種散射而引起之熱 阻 Re 為 R 1/ λ R +R (24) e e r i 式中 R 為由晶格中之雜質(不純原子、空穴、錯位等)所引起之熱阻，R 為由聲子對傳導電子散射 r i 而引起之熱阻。 在聲子散射之 R 中，傳導電子之平均自由程 l 與聲子之定壓比熱 c 成反比。聲子之定壓比 i e p, p 熱 cp, p 與溫度 T 之關係可參如【圖 3】所示之變化關係。從【圖 3】可以看出，在低溫區域之 cp, p 正比於 T 3 ，故l 正比於 1/T 3 。按式(23) ，同時由於c 正比於溫度 T ，因此得出1/R 正比於 1/T 2 ； e v , e i 而在中溫區，c 正比於 T ，故l 正比於 1/T ，同樣由於c 正比 T ，因此1/R 與 T 無關。 p, p e v , e i 在雜質散射之 R 中，電子之平均自由程 l 應與雜質(或缺陷等)之濃度有關，而與溫度無關。 r