薄膜电晶体液晶显示器制造流程.PDF

薄膜電晶體液晶顯示器 製造流程 製造流程 製造流程 Array段製程 Array段製程－各光罩相關流程 Array段製程－ (i) 洗淨(Clean) • 洗淨的目的： Array段製程－ (ii) 成膜 Array段製程－化學氣相沉積 (CVD) • 反應氣體分子由主 氣流 (Main Stream)帶至反 應區域 (基板)附 近。 • 反應氣體分子因濃度差而擴散並穿越邊界層 (Boundary Layer) 。 • 反應氣體分子到達基板表面。 • 反應氣體分子吸附 (Absorption)在基板表面，化學沉 積反應發生 — 沉積膜及副產物(By-Products) 。 • 副產物及剩餘氣體吸解 (Desorption) 離開基板表面。 • 副產物及剩餘氣體穿越邊界層。 • 副產物及剩餘氣體進入主氣流，並由真空系統抽離。 Array段製程－ CVD的分類 Array段製程－ PECVD • 乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分 子，斷裂其化學鍵，提高活性，在較低的製程溫 度下於加熱的基板表面形成化學反應，而形成所 需要的固態沉積。 Array段製程－ PECVD • 在 TFT 製程中的 PECVD膜有： (1) a-Si (Amorphous Si) : 為半導體層，當 作TFT開關的通道。 (2) n+ a-Si :在 a-Si的成膜條件中加入 PH3 ，形成高電子濃度的通道(P 為 5 價 ) ，作為歐姆接觸(Ohmic contact) 。 (3) SiNx 氮化矽( ) :當作絕緣層及保護層 (Passivation) ，硬度及抗水氣佳。 Array段製程－各膜層的製程方式 Array段製程－濺鍍 (Sputter) • Sputter 基本原理： 利用電漿將氬原子 (Ar) 游離成氬離子(Ar+)和電 子，再以電場加速氬離子使其撞擊靶材 (Target) ，經過動量轉換，靶材原子就會被撞擊出 來，沉積在基板上。 • 選擇氬氣作為撞擊原子的理由： (1)化性安定，不和靶材形成化合物。 (2)質量夠大。 (3)相對於質量更大的鈍氣元素，價格較低。 Array段製程－濺鍍 • Sputter 裝置圖 ◎反應室構造: (1) 放置金屬靶的陰 電極。 (2) 放置晶片的晶座 可以接地( ) 。 (3)擋板(Shutter) ： 將靶材與晶片隔開，使 濺鍍初期的沈積被擋在 擋板上，待機台穩定後 才移開擋板。 ◎所使用的氣體主要有 氬氣與氮氣。 Array段製程－ (iii)微影 (Photolithography) • 目的： 基板各層薄膜(PVD或 CVD)欲製作之電極圖 案，經由光阻塗佈後，藉曝光機光源透過光罩， 照射至基板上之感光材料，再經顯影等步驟，使 電極圖案轉印至玻璃基板上。 Array段製程－微影製程步驟 Array段製程－微影製程步驟 Array段製程－ (iV)蝕刻 (Etch) •蝕刻目的：在已經有光阻圖形之基板上， 蝕刻出所需求的圖形。 Array段製程－濕蝕刻 (Wet Etch) • 利用薄膜與特定溶液間所進行的化學反應， 來去除未被光阻覆蓋的薄膜。 ◎優點：製程單 純，產量速度快。 ◎缺點：等向性 蝕刻 (Isotropic Etch) ，會產生底切 現象 (Undercut) 。 Array段製程－濕蝕刻 • 裝置 ： Array段製程－乾蝕刻 (Dry Etching) Array段製程－乾蝕刻 •蝕刻非金屬材質 ( 如 SiNx ，a-Si ，n+ a-Si ) ： Array段製程－ (V) 剝膜(光阻去除) • 目的： 已經蝕刻出所需求之圖 形的基板，將覆蓋於圖