晶硅太阳电池钝化技术专利分析报告.PDF

晶硅太阳电池钝化技术 专利分析报告 作者: 韩灿 ReportonPatentingActivityof passivationtechnologyofc-Sisolarcells PreparedbyCanHan 概 述 1954年，美国贝尔实验室的D.M.Chapin等人研制出效率约为6%的单晶硅 太阳电 ，并于1959年首先在空间技术上得以应用。1974年，太阳电池绒面技 术的应用，使晶硅电池的效率有了新的进展。之后，随着钝化发射结太阳电 ( passivated emitter solar cell, PESC)、钝化发射结及钝化背表面太阳电 (passivatedemitterandrearcell,PERC)，及钝化发射结及背面局部扩散太阳电 (passivatedemitterandrearlocallydiffusedcell,PERLC)等不断实现晶硅太阳电 效率的突破，发展表面钝化技术越来越被认为是获得高效太阳电池的关键。 Si 晶硅太阳电池中，由于硅（ ）半导体材料的表面会存在一定数量的悬挂键 等表面复合中心，使得少数载流子在半导体表面产生复合，降低少子寿命，最终制 约太阳能电池的效率。采用表面钝化技术可以抑制表面复合，使太阳电池的有效 池少子寿命保持在较高水平，从而得到较高的开路电压（Voc）和短路电流（Jsc）， 进而提高晶硅太阳电池的光电转换效率。 实现表面钝化的方式，主要围绕减少表面缺陷、降低界面态密度展开，包括 SiN SiO Al O α-Si 前表面钝化和背面钝化。常用钝化膜有 x、 、2 2 3、 等，或者它们 的组合。同时，为了增加光吸收，常用钝化膜往往还需具备光学减反功能（如 SiN SiO TiO SiC MgF TaO x、 2），或者与光学减反膜（ 、 、2 2、 2 5等）合用。 近年来，围绕晶硅太阳电池钝化技术的专利申请在全球范围内呈现出高速增 长态势，已成为一个活跃的新兴热点领域。本报告以晶硅太阳电池钝化技术相关 专利为研究对象，旨在通过对晶硅太阳电池钝化技术领域的专利分析，揭示该领 域当前的专利活动特点，为我国在该领域的科技创新和产业化提供参考。报告从 全球晶硅太阳电池钝化技术研发背景的调研入手，从国际专利申请数量年度分 布、专利技术生命周期、技术研发布局、主要竞争国家地区、主要专利申请人/ 等方面，分析了全球晶硅太阳电池钝化技术的整体专利态势；在此基础上，对世 界范围内的重要申请人以及在华重要申请人的专利布局和技术路线进行了重点 深入分析。基于上述分析结果，报告最后，结合报告人所在团队的科研布局，就 未来的晶硅太阳电池钝化的技术研发和专利申请与保护工作提出了一些建议。 目录 1 前言2 1.1 研究内容及思路2 1.2数据来源及研究方法3 2 概述3 3 晶硅太阳电池钝化技术整体专利态势分析4 3.1 国际专利申请态势4 3.2 技术生命周期分析5 3.3 国际专利申请的技术布局8 3.4 国家地区分布分析/ 10 3.4.1 受理量国家/地区分布10 3.4.2 主要国家地区专利申请活跃度分析/ 13 3.4.3主要国家/地区的技术布局13 3.5 重要专利申请人分析15 3.5.1 重要专利申请人15 3.5.2 重要专利申请人合作关系16 3.5.3重要申请人专利申请保护区域分布24 3.5.4重要申请人专