- 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电子学讲义 场效应电晶体 科 年级 班座号 姓名 一、电晶体: 1符号 a .DOC
一、電晶體:
1.符號
a.PNP b.NPN
2.結構
a.射極( ):雜質摻雜濃度 ,負責
b.基極( ):雜質摻雜濃度 ,負責
c.集極( ):雜質摻雜濃度 ,負責
3.偏壓方式
工作區:BE接面 ,BC接面
接線圖
只要B-E間的偏壓超過障壁電位VBE,就會產生順向電流 ,通過基極時會有一小部分的電子與B極的電洞結合,形成 ,而B-C間的偏壓會使射極的其他電子到達集極,形成 Si的VBE = V ,Ge的VBE = V
飽和區:BE接面 ,BC接面
截止區:BE接面 ,BC接面
4.特性曲線
5.電流關係
a. IE=
b. IC= IB電流放大率((
c. IC= IE=
d.α與 β的關係
FET和BJT之差異
FET(場效應電晶體) BJT(雙極性電晶體) 導通電流控制 傳導電流 輸入阻抗 偏移電位 雜音 受輻射影響 熱穩定性 增益-頻寬乘積 工作速率 熱跑脫現象 體積 高頻響應 三、FET之分類
1.接面場效電晶體( ) n通道-載流體為 VGS
P通道-載流體為 VGS
2.金氧半場效電體( )
a.空乏型( 裝置) n通道─增強工作VGS 空乏工作VGS p通道─增強工作VGS 空乏工作VGS
b.增強型( 裝置) n通道 VGS
VGS
p通道 VGS
c.互補式金氧半場效電晶體( )
3.V型場效電晶體( )
四、JFET(接面場效應電晶體)
1.結構、
a.n通道 b.p通道
2.工作原理
VDD提供VDS產生ID電流,VGG提供VGS,使通道產生空乏區,通道寬度 ,ID
A.VGS=0時
a.VDGVGS, PN
b.VDS , ID, ID維持定值,稱為 IDSS
c.VDS ,使閘極接面之逆向電壓達崩潰點,VD=BVDSS
B.VDS固定
a.VGS , , ID
b.VGS ,夾止現象愈早發生
C.P通道之偏壓反之
3.直流偏壓
A.固定偏壓
VGS=
VDS=
圖解法:
RG提供閘極直流通路∵IG很小(nA)∴VG=
(1)畫出負載線
在ID=0時,VDS=
在VDS=0時,ID= 將兩點連接即得負載線
(2)算出相對值VGS之ID
IDQ=
(3)由IDQ可算出VDSQ值
VDSQ=
B.自給偏壓-較實用
VGS=
利用轉換特性曲線求偏壓點
RS固定VGS由ID決定
令ID=0, VGS=A點
令ID=某值, VGS=B點
連接A、B偏壓線與曲線相交點為
C.分壓式偏壓
VG=VGG=
VGSQ=
求出偏壓線
求出相對VGS值之IDQ值
算出VDQ=
VSQ= ,VDQS=VDQ-VSQ=
空乏型MOSFET
1.符號、結構
a.n通道 b.p通道
2.工作原理(以N通道說明,P通道偏壓反之)
VGS0,ID -空乏模式
VGS0, 更多的電子到通道中,通道變 ,電阻 ,ID -增強模式
VGS=0,加入適當
您可能关注的文档
- 用硅烷偶联剂增强白炭黑性能-南京能德化工有限公司.PDF
- 用磷酸活化法制备甘蔗渣活性炭及其吸附性能研究-上海电力学院学报.PDF
- 用等离子体处理-连续浸渍法制备银-玻璃纤维复合材料-材料研究学报.PDF
- 用表面活性剂改善丙纶非织造布亲水性的工艺优化-纺织科技进展.PDF
- 用达旦黄溴百里酚蓝混合指示剂测定RSO3Na 型 - 中国表面活性剂网.PDF
- 由一系列钠在空气中燃烧试验改进引发的思考.DOC
- 由于电荷的随机运动而产生电流电流经由电阻时将产生电压因此.DOC
- 由复分解反应电导率变化测定电解质溶液浓度-徐汇教育.DOC
- 由石英颗粒(沙子)形成结构稳定通常呈淡褐色或红色-多多石材.DOC
- 甲基丙烷.PPT
文档评论(0)