羟基喹啉铝镁结接触特性研究.pdf

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 8- 羟基喹啉铝镁结接触特性研究 张立功　刘学彦　蒋大鹏　吕安德　元金山 ( 中国科学院长春物理所　长春　130021) 摘要　在常温下测量了 8羟基喹啉铝 结构的有机结型器件的电容电压和伏安 ITO M g A g 特性. 它与常见的半导体结型器件特性有很大不同. 在小偏压下, 界面附近的空间电荷和表面 层积累的载流子共同决定对器件的界面特性. 在高偏压下, 隧穿注入的载流子在膜层内的漂移 对器件的电学特性产生主要影响. : 7280 , 0750, 7330 PACC L 1　引言 8羟基喹啉铝( ) 在有机电致发光方面的应用获得了很大成功[ 1～ 3 ] , 因而它的各种物 A lq [ 4 ] 理特性引起了研究者的浓厚兴趣. 有关A lq 膜的电子和空穴迁移率 , A lq 的成膜特性和成 [ 5 ] 膜后的晶态及稳定性的研究结果 为电致发光器件的稳定性和发光机理研究提供了实验资 [ 6 ] 料. 8羟基喹啉铝铝接触的 特性和光伏特性研究 表明 8羟基喹啉铝与金属电极之间 I V ( 6 ) 形成 结接触, 但有关有机 结的性质尚不清楚. 当在高电场 10 下 Scho ttky Scho ttky V cm 8羟基喹啉铝膜产生电致发光时, 有机膜中的载流子分布和传输特性等关系到电致发光性 能的参量的特性也还未有清楚的认识. 本文试图利用电容电压测量, 对 8羟基喹啉铝膜与镁界面特性及在高电场下膜层中注 入载流子的分布进行初步探讨, 以期了解8羟基喹啉铝与金属接触产生的势场以及载流子 在复合发光前分布情况. 2　实验 □ ITO 玻璃衬底面电阻为 150 , 经过超声回流清洗处理. 再依次蒸发沉积 8羟基喹啉 铝, 金属镁, 银. 沉积条件: 8羟基喹啉铝在 4 ×10- 3 真空下, 以03 速度沉积到未加 Pa nm s - 3 热的