第27卷第2期-盐城工学院学报.PDF

第27卷第2期 盐城工学院学报(自然科学版) V01．27No．2 of Instituteof Science 2014年06月 Journal June．2014 Yaneheng Technology(NaturalEdition) 基于Ti02异质结在光电化学传感领域的应用 薛 延1’2，许 娜2，谈立伟2，李红波2，王伟1’2 ，1．安徽理工大学化学工程学院，安徽淮南232001；、 ＼2．盐城工学院化学与生物工程学院，江苏盐城224051／ 摘要：TiO：是一种常见的n型半导体材料，将TiO：与其他材料复合构成异质结能够拓宽TiO： 光响应范围，减小光生空穴与光生电子重新结合的几率，提高整个体系的光电转换效率。主要 对异质结作用于光催化的基本原理以及基于TiO：异质结在光电化学传感领域的应用做了相关 综述。 关键词：Ti02；异质结；光电化学；传感 中图分类号：065 文献标识码：A 文章编号：1671—5322(2014)02—0073—06 TiO：是一种常见的n型半导体材料，禁带宽原理以及对基于TiO：异质结应用于光电化学传 度是3．2 感领域的应用做了相关综述。 eV。它是一种多晶型的化合物，在自然 界中存在着3种结晶形态：锐钛矿型、金红石型和 1 异质结作用于光催化的基本原理 板钛型，其中金红石型和锐钛矿型TiO：都具有光 催化活性，但锐钛矿型光催化活性最好。异质结 以P—n结为例：在一导电基底上分别修饰两 是半导体领域的重要概念，是由两种不同的半导 种不同类型的纳米半导体材料，得到最简单的平 体单晶材料组成…。按照组成材料导电类型的 P—n结。P型半导体也称为空穴型半导体，即空 不同，异质结可分为同型异质结(P—P结或n—n穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在P 结)和异型异质(P—n)结。由于不同材料电子亲型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要 和能和带隙宽度不同，异质结常具有组成材料各 靠空穴导电。在n型半导体中，自由电子为多子， 自都不能达到的优良的光电特性。随着纳米科技 空穴为少子，主要靠自由电子导电。由于P型及 的不断发展，纳米科技和半导体材料联系越来越 n型半导体中正电荷量与负电荷量相等，所以两 密切。与块状材料相比，纳米材料具有一些独特 种类型的半导体都呈电中性。在n型半导体和P 的性质，如表面与界面效应、小尺寸效应(体积效 型半导体的结合面上，由于P型半导体区域空穴 应)、量子尺寸效应、介电限域效应和宏观量子隧 多于fl型半导体区域，n型半导体区域电子多于 道效应。凭借这些独特的优良性质，纳米异质结 P型半导体区域，因此n型半导体区域的电子和P 使其本身更加适宜于太阳能电池B“1的制作以及 型半导体区域的空穴在浓度差驱动下分别向P型 半导体激光器制作¨。91等行业。 半导体区域和n型半导体区域扩散。n型半导体 光电化学的检测方法是20世纪80年代开始区域电子离开后，留下固定的正电荷，同理P型半 发展起来的一种新颖的检测手段，并在近20多年 导体区域留下固定的负电荷。这些电荷所在区域 有了飞跃的发展。光电化学传感器是基于物质的 就叫空间电荷区，空间电荷区的电荷产生从n型 光电转换特性确定待测物浓度的一类检测装置。 半导体区域指向P型半导体区域的电场，称为内 光电化学检测方法灵敏度高、设备简单、易于微型 建电场。内建电场抑制浓度差驱动的扩散运动， 化，已经成为一种极具应用潜力的分析方 当抑制作用与扩散作用达到动态平衡时，P—n结 法【10l。本文阐