GaN基大功率倒装焊蓝光LEDI-V特性研究.pdf

SEMICoNDUCTORoPToELECTRoNICSV01．28No．6 Dec．2007 林 亮，陈志忠，童玉珍，于彤军，秦志新，张国义 (北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心。北京100871) 摘 要： 测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的 电流一电压(}V)特性曲线。结果表明，相对理想情形，特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏 大；正向小偏压下因沿着饯错汇聚金属产生漏电流；产生一复合电流区和扩散电流区因多量子阱限 制而理想因子偏大；由于有源区低掺杂，在10A／cm2就开始形成大注入区；在大电流下也因为串联 电阻分压而形成串联电阻区。扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近，可用来测 量结温。老化过程中反向漏电流增加，是因为有了更多被激活的深能级；随着老化正向漏电增加的 速度变慢，是由于位错逐渐被汇集的金属填满。 关键词： GaN；大功率LED；倒装焊；理想因子；发光效率；老化 中图分类号：TN312．8文献标识码：A Researchonthe Char．acteristicsofGaN-b嬲edHi P0wer BlueLED Current-voltage ni矿chip LIN Liang，CHENZhi—zhong，TONGYu—zhen，YU Zhi—xin，ZHANG Tong—jun，QIN Guo—yi CenterfbrWideBand (Research S沁miconductor，Schoolof 10087l，CHN) Gap Physics，PekingUniversity，Beijing Abstract： characteristicsofGaN—based blue Current～Voltage(FV) highpowerflip—chip LEDsweremeasuredatdifferent anddifferent Itisfoundthatinthe temperatures agingstages． backward the卜V of curvethe currentis becauseof Voltagesegment leakage larger deep—level— assistant 1ittleforward metal withthedislocationsthus tunneling；under voltage gathersalong leadsto inthe current； anddiffusioncurrent the leakage generation—recombination segments restrictionfrom leadsto ideal levelin leads MQWs