耦合犣状犗／犕犵犗量子点中的激子态和带间光跃迁-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ ３ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．３ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ６ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｊｕｎ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０３０３４００５ 耦合 ／ 量子点中的激子态和带间光跃迁 犣狀犗犕 犣狀 犗 狓 １－狓 犵 危书义，卫国红，孙永灿，赵建华 （河南师范大学 物理与信息工程学院，河南 新乡 ， ： ） ４５３００７ Ｅｍａｉｌｗｓ ｈｅｎａｎｎｕ．ｅｄｕ．ｃｎ 　 ｙ＠ 摘 要：在有效质量近似和变分原理的基础上，考虑量子点的三维约束效应和内建电场，研 　 究了 ／ 耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子 空穴复合率随量 ＺｎＯ Ｍ Ｚｎ Ｏ  ｇ 狓 １－狓 子点结构参数（量子点高度和势垒层厚度）的变化。结果表明：激子结合能、带间光跃迁能和 电子 空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。  关 键 词：量子点；激子结合能；带间光跃迁能；电子 空穴复合率  　 　 中图分类号： ＋ 文献标识码： Ｏ４７２．３ Ａ 　　　 电场的存在，电子和空穴主要被束缚在不同的量 １ 引 言 　 　　 子阱内。本文利用有效质量近似和变分原理，在 近年来，由于蓝光和紫外光等短波长发光器 考虑量子点的三维束缚效应和内建电场的情况 件和激光器的巨大市场需求，对宽带隙半导体材 下，对 ／ 耦合量子点中的激子态 ＺｎＯＭ Ｚｎ Ｏ ｇ 狓 １－狓 料（如 、 等）的研究越来越受到人们的重 和带间光跃迁进行了研究，并对所得到的结果进 ＺｎＯＧａＮ ［］ １ 行了分析讨论。 视 。ＺｎＯ是一种新型的宽禁带直接带隙半导 体材料，其带隙为 ３．３７ｅＶ，在室温下，它的激子